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GA1210Y563KXXAR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/26 20:43:38 查看 閱讀：8

GA1210Y563KXXAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和DC-DC轉(zhuǎn)換等應(yīng)用領(lǐng)域。該器件采用了先進(jìn)的溝槽式MOSFET技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn)，能夠顯著提高系統(tǒng)效率并降低功耗。此外，該芯片還具備優(yōu)異的熱性能和可靠性，適用于各種嚴(yán)苛的工作環(huán)境。

參數(shù)

類型：N通道增強(qiáng)型MOSFET
　　導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　擊穿電壓（BVDSS）：120V
　　最大漏極電流（Id）：80A
　　柵極電荷（Qg）：95nC
　　輸入電容（Ciss）：4200pF
　　工作溫度范圍：-55℃至+175℃
　　封裝形式：TO-247

特性

GA1210Y563KXXAR31G采用先進(jìn)的制程工藝制造，具備以下主要特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），可有效降低導(dǎo)通損耗，提升整體效率。
　　2. 高速開(kāi)關(guān)性能，柵極電荷較低，適合高頻應(yīng)用。
　　3. 出色的熱穩(wěn)定性，能夠在高溫環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間可靠運(yùn)行。
　　4. 良好的雪崩能力和抗靜電能力，增強(qiáng)了器件的魯棒性。
　　5. 大電流承載能力，適合高功率密度設(shè)計(jì)。
　　6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足國(guó)際法規(guī)要求。

應(yīng)用

這款MOSFET芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）中的主開(kāi)關(guān)管。
　　2. 工業(yè)級(jí)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的功率級(jí)控制。
　　3. 電動(dòng)汽車及混合動(dòng)力汽車中的DC-DC轉(zhuǎn)換器。
　　4. 太陽(yáng)能逆變器和儲(chǔ)能系統(tǒng)的功率管理模塊。
　　5. LED驅(qū)動(dòng)電路以及各類大功率電子設(shè)備。

替代型號(hào)

IRFP2907ZPBF, FDP18N12A, STW82N120K5

ga1210y563kxxar31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶（TR）
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容0.056 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝，MLCC
  • 封裝/外殼1210（3225 公制）
  • 大小 / 尺寸0.126" 長(zhǎng) x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm）
  • 高度 - 安裝（最大值）-
  • 厚度（最大值）0.076"（1.94mm）
  • 引線間距-
  • 引線樣式-