GA1210Y561KXLAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先進的制造工藝以提供卓越的電氣性能。該器件廣泛應用于電源管理、電機驅動以及各種需要高效率和低功耗的場景��
其主要特點是具備較低的導通電阻(Rds(on)�,這有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。此�,它還具有快速開關能�,適用于高頻應用�(huán)��
型號:GA1210Y561KXLAR31G
類型:N-Channel MOSFET
Vgs(柵�-源極電壓):±20V
Vds(漏�-源極電壓):120V
Rds(on)(導通電阻)�45mΩ(典型值,� Vgs=10V 時)
Id(連續(xù)漏極電流):56A
Ptot(總功耗)�175W
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247
GA1210Y561KXLAR31G 的關鍵特性包括以下幾點:
1. 極低的導通電� Rds(on),在高負載條件下能顯著降低功率損耗�
2. 高擊穿電壓(Vds = 120V�,確保在高壓�(huán)境下仍能�(wěn)定運��
3. 快速開關速度,支持高頻操�,非常適合開關電源和逆變器等應用�
4. 強大的電流承載能力(高達 56A�,適合大功率應用場景�
5. 寬泛的工作溫度范圍(-55� � +175℃),能夠適應極端環(huán)境條件�
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且可靠�
該芯片主要應用于以下幾個領域:
1. 開關電源 (SMPS) � DC-DC 轉換�,用于提升功率轉換效��
2. 電機驅動控制,特別是在工�(yè)自動化設備中�
3. 太陽能逆變器和其他可再生能源相關設備�
4. 電動車和混合動力車中的電力管理系�(tǒng)�
5. 各種需要高效功率管理的消費類電子產品�
6. 工業(yè)級不間斷電源 (UPS) 系統(tǒng)�
IRFZ44N
FDP5580
STP55NF06L