GA1210Y394MXJAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機�(qū)動等�(yīng)�。該芯片采用先進的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,能夠有效提升電路效率并減少熱損��
該器件屬� N 溝道增強� MOSFET,主要特點在于其高耐壓能力與低�(dǎo)通電阻的�(jié)�,非常適合需要高效能和穩(wěn)定性的工業(yè)級應(yīng)用�
最大漏源電壓:1200V
連續(xù)漏極電流�10A
�(dǎo)通電阻(典型值)�50mΩ
柵極電荷�80nC
輸入電容�1200pF
工作�(jié)溫范圍:-55� to +175�
GA1210Y394MXJAR31G 具有以下顯著特性:
1. 高擊穿電壓(12002. 極低的導(dǎo)通電阻(50mΩ�,可有效降低功耗�
3. 快速開�(guān)性能,支持高頻操作�
4. 強大的雪崩能�,提高系�(tǒng)可靠��
5. 小尺寸封裝設(shè)計,便于集成到緊湊型電路��
6. 寬溫度范圍支持,適應(yīng)惡劣�(huán)��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. 逆變器及 UPS 系統(tǒng)
3. DC-DC �(zhuǎn)換器
4. 工業(yè)電機�(qū)�
5. 太陽能逆變�
6. 電動車充電模�
7. 高壓負載切換電路
IRFP460, FQA14P120, STW84N120