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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1210Y332MXLAT31G

GA1210Y332MXLAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/30 17:05:04 查看 閱讀�14

GA1210Y332MXLAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于高效率電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)�(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、快速開(kāi)�(guān)特性和�(yōu)異的熱性能,能夠顯著提升系�(tǒng)的效率和可靠��
  其封裝形式為行業(yè)�(biāo)�(zhǔn)的TO-263(D2PAK�,具備大電流承載能力和良好的散熱性能,適合在高功率密度應(yīng)用中使用�

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)� MOSFET
  最大漏源電壓:100V
  最大連續(xù)漏極電流�33A
  �(dǎo)通電阻:2.5mΩ
  柵極電荷�85nC
  �(kāi)�(guān)速度:超�
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝:TO-263(D2PAK�

特�

GA1210Y332MXLAT31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少導(dǎo)通損�,提高整體系�(tǒng)效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)特性,適用于高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)�,降低開(kāi)�(guān)損��
  3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件的魯棒�,使其能夠在惡劣條件下可靠運(yùn)��
  4. �(yōu)秀的熱性能�(shè)�(jì),保證了在高功率密度�(yīng)用中的穩(wěn)定��
  5. 寬工作溫度范�,適�(yīng)各種極端�(huán)境條件下的應(yīng)用需��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子產(chǎn)品設(shè)�(jì)��

�(yīng)�

這款功率MOSFET廣泛用于以下�(yīng)用場(chǎng)景:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
  2. 直流-直流�(zhuǎn)換器
  3. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控�
  5. 太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)
  6. LED照明�(qū)�(dòng)電路
  由于其卓越的性能,GA1210Y332MXLAT31G 成為了需要高效能功率管理解決方案的理想選��

替代型號(hào)

IRF3205, SI4844DY, FDP16N10

ga1210y332mxlat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容3300 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定630V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-