GA1210Y332MXEAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先�(jìn)的制造工藝設(shè)�(jì),廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等電力電子領(lǐng)�。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特性,可顯著提升系�(tǒng)效率并減少熱量損��
此型�(hào)中的部分字母與數(shù)字組合代表了其封裝形式、電氣參�(shù)以及具體的應(yīng)用場(chǎng)景優(yōu)化方��
類型:N溝道 MOSFET
最大漏源電�(Vds)�120V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�42A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�2.8mΩ
總功�(Ptot)�175W
工作溫度范圍�-55� to +175�
封裝形式:TO-247-3
GA1210Y332MXEAT31G具備出色的性能特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),在高電流應(yīng)用中能有效降低功��
2. 高速開(kāi)�(guān)能力,支持高頻操�,適用于�(xiàn)代高效能�(zhuǎn)換電路�
3. 增強(qiáng)型熱性能�(shè)�(jì),能夠承受更高的�(jié)�,確保長(zhǎng)�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)��
4. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,提高器件在�(yán)苛環(huán)境下的可靠��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合各種工業(yè)�(jí)�(yīng)用需求�
這款功率MOSFET適用于多種電力電子設(shè)備中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)的設(shè)�(jì),如AC-DC適配器及充電��
2. 電動(dòng)汽車(EV)與混合動(dòng)力汽�(HEV)中的電機(jī)控制��
3. 工業(yè)自動(dòng)化控制系�(tǒng)的各類驅(qū)�(dòng)模塊�
4. 太陽(yáng)能逆變器以及其他需要高效能量轉(zhuǎn)換的�(chǎng)��
5. 高端音頻功放�(shè)備內(nèi)的D類放大器�(jié)�(gòu)組件�
IRFZ44N
FDP5800
STP170N10F5
AOI580A