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GA1210Y332MXEAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/29 0:22:57 查看 閱讀�14

GA1210Y332MXEAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先�(jìn)的制造工藝設(shè)�(jì),廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等電力電子領(lǐng)�。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特性,可顯著提升系�(tǒng)效率并減少熱量損��
  此型�(hào)中的部分字母與數(shù)字組合代表了其封裝形式、電氣參�(shù)以及具體的應(yīng)用場(chǎng)景優(yōu)化方��

參數(shù)

類型:N溝道 MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�120V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�42A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�2.8mΩ
  總功�(Ptot)�175W
  工作溫度范圍�-55� to +175�
  封裝形式:TO-247-3

特�

GA1210Y332MXEAT31G具備出色的性能特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),在高電流應(yīng)用中能有效降低功��
  2. 高速開(kāi)�(guān)能力,支持高頻操�,適用于�(xiàn)代高效能�(zhuǎn)換電路�
  3. 增強(qiáng)型熱性能�(shè)�(jì),能夠承受更高的�(jié)�,確保長(zhǎng)�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)��
  4. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,提高器件在�(yán)苛環(huán)境下的可靠��
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合各種工業(yè)�(jí)�(yīng)用需求�

�(yīng)�

這款功率MOSFET適用于多種電力電子設(shè)備中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)的設(shè)�(jì),如AC-DC適配器及充電��
  2. 電動(dòng)汽車(EV)與混合動(dòng)力汽�(HEV)中的電機(jī)控制��
  3. 工業(yè)自動(dòng)化控制系�(tǒng)的各類驅(qū)�(dòng)模塊�
  4. 太陽(yáng)能逆變器以及其他需要高效能量轉(zhuǎn)換的�(chǎng)��
  5. 高端音頻功放�(shè)備內(nèi)的D類放大器�(jié)�(gòu)組件�

替代型號(hào)

IRFZ44N
  FDP5800
  STP170N10F5
  AOI580A

ga1210y332mxeat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容3300 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-