時間：2025/5/29 0:21:45
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GA1210Y273MBAAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于高效率開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等應(yīng)用領(lǐng)域。該器件采用了先進的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點，能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)性能。
此型號屬于增強型 N 溝道 MOSFET，適合于需要高效能和高可靠性的電子電路設(shè)計。
最大漏源電壓：120V
連續(xù)漏極電流：10A
導(dǎo)通電阻（典型值）：27mΩ
柵極電荷：45nC
輸入電容：1200pF
總功耗：15W
工作溫度范圍：-55℃ 至 175℃
1. 極低的導(dǎo)通電阻，在滿負載條件下可以顯著減少功率損耗。
2. 快速開關(guān)能力，有助于提高轉(zhuǎn)換效率并降低電磁干擾 (EMI)。
3. 高雪崩擊穿能量，增強了器件在異常情況下的魯棒性。
4. 緊湊型封裝設(shè)計，便于 PCB 布局和散熱管理。
5. 寬泛的工作溫度范圍，適應(yīng)各種惡劣環(huán)境條件。
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS)
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
3. 電機驅(qū)動與控制
4. 電池管理系統(tǒng) (BMS)
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模塊
6. 通信電源及適配器
GA1210Y285MBAAR31G, IRFZ44N, FDP17N10
