GA1210Y273KXLAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高效率電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)等場景。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度以及出色的熱性能。其封裝形式和電氣特性使其非常適合于要求高可靠性和高效能的�(yīng)用環(huán)��
這款功率 MOSFET 在設(shè)�(jì)上注重降低損�,優(yōu)化了柵極電荷和輸出電容參�(shù),從而提升了整體系統(tǒng)的效�。同�(shí),它還具有良好的短路耐受能力以及較強(qiáng)的抗電磁干擾能力,為�(fù)雜應(yīng)用提供了�(wěn)定保��
型號:GA1210Y273KXLAT31G
類型:功� MOSFET
VDS(漏源極電壓):1200V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�50mΩ
IDS(漏極電流)�40A
Qg(柵極電荷)�80nC
EAS(雪崩能量)�2.5J
封裝:TO-247
工作溫度范圍�-55� � 175�
GA1210Y273KXLAT31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� (RDS(on)) �(shè)�(jì),可顯著減少傳導(dǎo)損��
2. 快速開�(guān)速度,有助于降低開關(guān)損耗并提高系統(tǒng)效率�
3. 高額定電� (1200V),適用于高壓�(yīng)用場景�
4. 具備�(qiáng)大的短路保護(hù)能力,確保在異常情況下仍能保持正常運(yùn)行�
5. 熱阻較低,散熱性能�(yōu)越,能夠承受更高的負(fù)載條��
6. 支持寬廣的工作溫度范� (-55� � 175�),適�(yīng)各種極端�(huán)��
7. 柵極�(qū)�(dòng)兼容性良�,便于與不同控制器搭配使��
GA1210Y273KXLAT31G 廣泛用于以下�(lǐng)域:
1. 工業(yè)級電源模�,如 AC/DC �(zhuǎn)換器� DC/DC 變換��
2. 太陽能逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)中的功率管理�
3. 電動(dòng)汽車 (EV) 和混合動(dòng)力汽� (HEV) 的電�(jī)�(qū)�(dòng)及電池管理系�(tǒng)�
4. 高效照明�(shè)�,例� LED �(qū)�(dòng)電路�
5. 各類高頻開關(guān)電源和不間斷電源 (UPS)�
6. 電機(jī)控制�(yīng)�,如伺服電機(jī)�(qū)�(dòng)和工�(yè)自動(dòng)化設(shè)��
GB1206Y273KXLAT31G, HA1210Z352KYLAT28G