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GA1210Y273KXLAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/30 13:57:28 查看 閱讀�14

GA1210Y273KXLAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高效率電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)等場景。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度以及出色的熱性能。其封裝形式和電氣特性使其非常適合于要求高可靠性和高效能的�(yīng)用環(huán)��
  這款功率 MOSFET 在設(shè)�(jì)上注重降低損�,優(yōu)化了柵極電荷和輸出電容參�(shù),從而提升了整體系統(tǒng)的效�。同�(shí),它還具有良好的短路耐受能力以及較強(qiáng)的抗電磁干擾能力,為�(fù)雜應(yīng)用提供了�(wěn)定保��

參數(shù)

型號:GA1210Y273KXLAT31G
  類型:功� MOSFET
  VDS(漏源極電壓):1200V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�50mΩ
  IDS(漏極電流)�40A
  Qg(柵極電荷)�80nC
  EAS(雪崩能量)�2.5J
  封裝:TO-247
  工作溫度范圍�-55� � 175�

特�

GA1210Y273KXLAT31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (RDS(on)) �(shè)�(jì),可顯著減少傳導(dǎo)損��
  2. 快速開�(guān)速度,有助于降低開關(guān)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  3. 高額定電� (1200V),適用于高壓�(yīng)用場景�
  4. 具備�(qiáng)大的短路保護(hù)能力,確保在異常情況下仍能保持正常運(yùn)行�
  5. 熱阻較低,散熱性能�(yōu)越,能夠承受更高的負(fù)載條��
  6. 支持寬廣的工作溫度范� (-55� � 175�),適�(yīng)各種極端�(huán)��
  7. 柵極�(qū)�(dòng)兼容性良�,便于與不同控制器搭配使��

�(yīng)�

GA1210Y273KXLAT31G 廣泛用于以下�(lǐng)域:
  1. 工業(yè)級電源模�,如 AC/DC �(zhuǎn)換器� DC/DC 變換��
  2. 太陽能逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)中的功率管理�
  3. 電動(dòng)汽車 (EV) 和混合動(dòng)力汽� (HEV) 的電�(jī)�(qū)�(dòng)及電池管理系�(tǒng)�
  4. 高效照明�(shè)�,例� LED �(qū)�(dòng)電路�
  5. 各類高頻開關(guān)電源和不間斷電源 (UPS)�
  6. 電機(jī)控制�(yīng)�,如伺服電機(jī)�(qū)�(dòng)和工�(yè)自動(dòng)化設(shè)��

替代型號

GB1206Y273KXLAT31G, HA1210Z352KYLAT28G

ga1210y273kxlat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.027 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定630V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-