GA1210Y273KBAAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)動、DC-DC �(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具備低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠��
這款功率 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器�,支持高頻開�(guān)操作,并且具有出色的抗干擾能力和�(wěn)定�,適合各種嚴(yán)苛的工作�(huán)境�
型號:GA1210Y273KBAAT31G
類型:N 溝道 MOSFET
最大漏源電� VDS�120V
最大柵源電� VGS:�20V
連續(xù)漏極電流 ID�15A
�(dǎo)通電� RDS(on)�1.6mΩ(典型�,VGS=10V�
柵極電荷 Qg�45nC(典型值)
開關(guān)時間:ton=12ns,toff=18ns(典型值)
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247-3
GA1210Y273KBAAT31G 具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電� RDS(on),能夠減少傳�(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)能力,支持高�(dá) 1MHz 的開�(guān)頻率�
3. �(nèi)置反向恢�(fù)二極�,降低開�(guān)過程中的反向電流沖擊�
4. 出色的熱性能和散熱設(shè)�,確保在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
5. �(qiáng)大的� ESD 和雪崩能�,提升了整體系統(tǒng)的可靠性�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保,適用于對�(huán)保要求嚴(yán)格的場景�
該芯片主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的主開�(guān)或同步整流管�
2. 電動工具、家用電器和工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)��
3. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)元件�
4. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模��
5. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的保護(hù)和控制電��
6. 各種需要高效功率管理的場合�
GA1210Y273KBAAT32G, IRF1404, FDP15N12