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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1210Y273KBAAR31G

GA1210Y273KBAAR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 22:41:26 查看 閱讀�9

GA1210Y273KBAAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和工�(yè)控制等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠在高頻工作條件下提供卓越的效率和可靠��
  其封裝形式為行業(yè)�(biāo)�(zhǔn),支持表面貼裝技�(shù)(SMT�,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和裝�。同�(shí),該型號(hào)還具備良好的熱性能,適合長(zhǎng)�(shí)間在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��

參數(shù)

型號(hào):GA1210Y273KBAAR31G
  類型:N-Channel MOSFET
  額定電壓�60V
  額定電流�40A
  �(dǎo)通電阻:2.5mΩ
  柵極電荷�12nC
  最大功耗:15W
  �(jié)溫范圍:-55� � +175�
  封裝:TO-263

特�

GA1210Y273KBAAR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高速開(kāi)�(guān)能力,能夠適�(yīng)高頻�(yīng)用需��
  3. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)抗靜電能��
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),確保在極端溫度條件下的可靠�(yùn)��
  5. 支持大電流操�,適用于高功率密度設(shè)�(jì)�
  6. 表面貼裝封裝,簡(jiǎn)化了PCB布局和生�(chǎn)流程�
  此外,該器件還具有較低的柵極電荷和輸出電�,從而減少了�(kāi)�(guān)損耗并提升了整體性能�

�(yīng)�

GA1210Y273KBAAR31G 可用于以下領(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)管或同步整流��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器及降�/升壓電路中的功率�(kāi)�(guān)�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器中的橋式驅(qū)�(dòng)元件�
  4. 工業(yè)控制�(shè)備中的負(fù)載切��
  5. 汽車電子系統(tǒng)中的高電流開(kāi)�(guān)�
  6. 其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)景�

替代型號(hào)

GA1210Y272KBAAR31G, IRF540N, FDP5570N

ga1210y273kbaar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.027 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-