GA1210Y273KBAAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和工�(yè)控制等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠在高頻工作條件下提供卓越的效率和可靠��
其封裝形式為行業(yè)�(biāo)�(zhǔn),支持表面貼裝技�(shù)(SMT�,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和裝�。同�(shí),該型號(hào)還具備良好的熱性能,適合長(zhǎng)�(shí)間在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
型號(hào):GA1210Y273KBAAR31G
類型:N-Channel MOSFET
額定電壓�60V
額定電流�40A
�(dǎo)通電阻:2.5mΩ
柵極電荷�12nC
最大功耗:15W
�(jié)溫范圍:-55� � +175�
封裝:TO-263
GA1210Y273KBAAR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)能力,能夠適�(yīng)高頻�(yīng)用需��
3. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)抗靜電能��
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),確保在極端溫度條件下的可靠�(yùn)��
5. 支持大電流操�,適用于高功率密度設(shè)�(jì)�
6. 表面貼裝封裝,簡(jiǎn)化了PCB布局和生�(chǎn)流程�
此外,該器件還具有較低的柵極電荷和輸出電�,從而減少了�(kāi)�(guān)損耗并提升了整體性能�
GA1210Y273KBAAR31G 可用于以下領(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)管或同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器及降�/升壓電路中的功率�(kāi)�(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器中的橋式驅(qū)�(dòng)元件�
4. 工業(yè)控制�(shè)備中的負(fù)載切��
5. 汽車電子系統(tǒng)中的高電流開(kāi)�(guān)�
6. 其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)景�
GA1210Y272KBAAR31G, IRF540N, FDP5570N