GA1210Y273JBJAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于工業(yè)和汽�(chē)�(lǐng)域中的開(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)�。該芯片采用先�(jìn)的溝槽式技�(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和高電流承載能�,能夠顯著提升系�(tǒng)的效率與�(wěn)定��
這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器件,支持快速開(kāi)�(guān)操作,并且在高溫�(huán)境下依然表現(xiàn)出色。其封裝形式為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的表面貼裝類(lèi)型(� DPAK � D2PAK�,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和集成到�(fù)雜電路中�
最大漏源電壓:120V
連續(xù)漏極電流�40A
�(dǎo)通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�85nC
�(kāi)�(guān)�(shí)間:典型� 9ns(開(kāi)啟)/ 15ns(關(guān)閉)
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高電流處理能�,適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)��
3. 快速開(kāi)�(guān)性能,適合高頻工作的電路�(shè)�(jì)�
4. �(qiáng)大的熱管理能�,能夠在極端溫度條件下可靠運(yùn)��
5. 具備出色的抗雪崩能力和靜電防�(hù)功能,確保長(zhǎng)期使用的�(wěn)定性�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛工藝生�(chǎn)�
1. �(kāi)�(guān)電源模塊中的主開(kāi)�(guān)管或同步整流管�
2. 電動(dòng)�(chē)輛中的電�(jī)控制器及電池管理系統(tǒng)�
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換與保護(hù)�
4. LED 照明�(qū)�(dòng)電路中的功率�(diào)節(jié)單元�
5. 太陽(yáng)能逆變器及其他可再生能源相�(guān)�(shè)備的核心組件�
6. 各種 DC-DC �(zhuǎn)換器和升�/降壓�?fù)浣Y(jié)�(gòu)的關(guān)鍵元��
IRF3205, FDP55N10, STP120NF10L