GA1210Y273JBCAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)� DC-DC �(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和�(wěn)定��
該器件屬� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,其�(shè)�(jì)旨在�(yōu)化功耗表�(xiàn)和熱管理性能,從而滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和小型化的需��
最大漏源電壓:120V
連續(xù)漏極電流�10A
�(dǎo)通電阻:2.7mΩ
柵極電荷�85nC
總電容:450pF
工作溫度范圍�-55� � 175�
GA1210Y273JBCAR31G 具有以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),可有效降低�(dǎo)通損耗并提升整體效率�
2. 快速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
3. 高雪崩能量耐受能力,增�(qiáng)了器件在異常條件下的可靠��
4. 提供出色的熱�(wěn)定性和電氣性能,適用于�(yán)苛的工作�(huán)��
5. 小型封裝選項(xiàng),便于高密度電路板設(shè)�(jì)�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足全球市場(chǎng)�(zhǔn)入要��
該芯片主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和適配器�(shè)�(jì)�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器控制�
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源管理模��
4. 電動(dòng)汽車 (EV) 和混合動(dòng)力汽� (HEV) 的電池管理系�(tǒng)�
5. DC-DC �(zhuǎn)換器以及�(fù)載點(diǎn) (POL) �(zhuǎn)換�
6. LED 照明�(qū)�(dòng)和光伏逆變器系�(tǒng)�
IRFZ44N
FDP5800
AO3400