GA1210Y223KBLAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、開關(guān)電源、電機驅(qū)動等領(lǐng)域。該芯片采用先進的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能等優(yōu)點,適用于對效率和可靠性要求較高的電子系統(tǒng)。
該型號具體為 N 溝道增強型 MOSFET,其封裝形式和電氣參數(shù)經(jīng)過優(yōu)化設(shè)計,能夠在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出優(yōu)異的性能。
最大漏源電壓:120V
連續(xù)漏極電流:10A
導(dǎo)通電阻:2.3mΩ
柵極電荷:65nC
開關(guān)速度:20ns
工作溫度范圍:-55℃至175℃
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于降低功耗并提高整體效率。
2. 高速開關(guān)性能,能夠適應(yīng)高頻應(yīng)用場景。
3. 優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性,確保在極端溫度條件下仍能保持穩(wěn)定運行。
4. 內(nèi)置靜電防護功能,提高了芯片的可靠性和抗干擾能力。
5. 小型化封裝設(shè)計,適合緊湊型電路板布局。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且安全可靠。
1. 開關(guān)電源(SMPS)
2. 直流-直流轉(zhuǎn)換器
3. 電機驅(qū)動與控制
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)
5. 工6. 汽車電子中的負(fù)載開關(guān)與保護
IRFZ44N
STP10NK60Z
FDP5800
AON7809