GA1210Y223KBBAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于高效率電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)動領(lǐng)�。該芯片采用了先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度以及�(yōu)秀的熱性能等特�(diǎn),能夠滿足工�(yè)、消�(fèi)電子及汽車電子等�(lǐng)域的�(yán)格要��
型號:GA1210Y223KBBAR31G
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
工作電壓�60V
連續(xù)漏極電流�50A
�(dǎo)通電阻:1.2mΩ
柵極電荷�45nC
輸入電容�2800pF
最大功耗:250W
封裝形式:TO-247
GA1210Y223KBBAR31G 的主要特性包括:
1. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于降低傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 高開�(guān)速度�(shè)�(jì),減少開�(guān)損�,適合高頻應(yīng)用�
3. 具備出色的熱�(wěn)定性和散熱性能,確保在高溫�(huán)境下仍能可靠�(yùn)行�
4. 提供過流保護(hù)和短路保�(hù)功能,增�(qiáng)器件的安全��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�
6. 封裝�(jiān)固耐用,適用于惡劣的工作環(huán)��
GA1210Y223KBBAR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電機(jī)�(qū)動和逆變器控��
3. 汽車電子中的�(fù)載開�(guān)和繼電器替代�
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模��
5. LED 照明�(qū)動電��
6. 充電器和適配器設(shè)�(jì)�
IRFP2907, STP50NF06, FDP55N06L