GA1210Y223JBAAT31G 是一款由知名制造商推出的高性能功率 MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和開(kāi)關(guān)電路等領(lǐng)域。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝,在效率、可靠性和耐用性方面表現(xiàn)出色。其封裝形式為 TO-263(D2PAK),適合高電流和高電壓的應(yīng)用場(chǎng)景。
這款功率 MOSFET 的設(shè)計(jì)目標(biāo)是提供低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)速度,從而降低功耗并提升系統(tǒng)性能。它適用于工業(yè)、消費(fèi)電子以及汽車(chē)電子領(lǐng)域中的多種應(yīng)用。
型號(hào):GA1210Y223JBAAT31G
封裝:TO-263 (D2PAK)
VDS(漏源極擊穿電壓):120V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻,典型值):2.5mΩ
IDS(連續(xù)漏極電流):100A
柵極電荷(Qg):85nC
工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
最大結(jié)溫:175°C
輸入電容(Ciss):4950pF
GA1210Y223JBAAT31G 具有以下顯著特點(diǎn):
1. 極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on)),能夠顯著減少傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率。
2. 快速開(kāi)關(guān)能力,支持高頻應(yīng)用,適合 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和逆變器等設(shè)計(jì)。
3. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件在異常條件下的魯棒性。
4. 優(yōu)化的熱性能設(shè)計(jì),確保在高功率應(yīng)用場(chǎng)景下保持穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足國(guó)際法規(guī)要求。
6. 廣泛的工作溫度范圍,使其適用于各種惡劣環(huán)境。
該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS),包括 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,如無(wú)刷直流電機(jī)控制。
3. 電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力汽車(chē)的電池管理系統(tǒng)。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換。
5. LED 驅(qū)動(dòng)器和高效能照明系統(tǒng)。
6. 通信設(shè)備中的電源模塊。
7. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源相關(guān)產(chǎn)品。
GA1210Y222JBAAT31G, IRF7842PbF, FDP17N12SBD