GA1210Y222MBEAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于高效率、高頻開�(guān)電源和電�(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)�。該器件采用先�(jìn)的溝槽式 MOSFET 技�(shù)制造,具備低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能,能夠顯著降低功率損耗并提升系統(tǒng)效率�
這款芯片適用于工�(yè)、汽車和消費(fèi)電子�(lǐng)域中的多種應(yīng)用場(chǎng)景,例如 DC-DC �(zhuǎn)換器、LED �(qū)�(dòng)器以及電池管理系�(tǒng)等。通過�(yōu)化的封裝�(shè)�(jì)和出色的熱性能,GA1210Y222MBEAT31G 可以在嚴(yán)苛的工作�(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)行�
類型:N-Channel MOSFET
漏源極電�(Vds)�60V
連續(xù)漏極電流(Id)�80A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�2.5mΩ
柵極電荷(Qg)�45nC
開關(guān)頻率:高�(dá) 1MHz
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247-3
GA1210Y222MBEAT31G 具備以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠在高電流條件下減少功��
2. 快速的開關(guān)速度和低柵極電荷 (Qg),有助于提高效率并支持高頻操作�
3. �(qiáng)大的電流處理能力,支持高�(dá) 80A 的連續(xù)漏極電流�
4. 寬泛的工作溫度范� (-55°C � +175°C),使其非常適合惡劣環(huán)境下的應(yīng)��
5. �(wěn)定的電氣性能和卓越的熱管理能�,確保長�(shí)間可靠運(yùn)��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(chǎng)景:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電動(dòng)工具和家用電器的電機(jī)�(qū)�(dòng)�
3. 新能源汽車的電池管理系統(tǒng) (BMS) 和車載充電器�
4. LED �(qū)�(dòng)器和照明控制系統(tǒng)�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊�
6. 電信和網(wǎng)�(luò)�(shè)備中的高效電源解決方��
GA1210Y222MBEAT31G-A, IRF740, FDP5500