GA1210Y222JBLAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。該器件采用先進的制造工�,具備低導通電阻和高耐壓能力,能夠有效降低能耗并提高系統(tǒng)效率�
其封裝形式為TO-247,適合大功率應用場合,同時具有出色的散熱性能和可靠性�
型號:GA1210Y222JBLAR31G
類型:N溝道增強型MOSFET
最大漏源電壓Vds�1200V
最大柵源電壓Vgs:�20V
連續(xù)漏極電流Id�31A
導通電阻Rds(on)�50mΩ(典型�,Vgs=10V時)
總功耗Ptot�360W
�(jié)溫范圍Tj�-55°C�+175°C
封裝形式:TO-247
GA1210Y222JBLAR31G 具備以下顯著特點�
1. 高耐壓能力,可承受高達1200V的工作電壓,適用于高壓環(huán)境下的各種應用場��
2. 低導通電阻設(shè)�,減少導通損�,提升整體能��
3. 大電流承載能�,連續(xù)漏極電流高達31A,滿足高功率需��
4. 快速開�(guān)速度,優(yōu)化了動態(tài)性能,降低了開關(guān)損耗�
5. 出色的熱�(wěn)定�,能夠在高溫�(huán)境下保持�(wěn)定運��
6. TO-247封裝提供了良好的散熱性能,進一步提升了器件的可靠性和壽命�
該芯片主要應用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中作為主開�(guān)管使用�
2. 電機�(qū)動電路中的功率級控制�
3. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流和降壓升壓功��
4. 工業(yè)�(shè)備中的負載切換和保護電路�
5. 新能源領(lǐng)�,如太陽能逆變器和電動汽車充電樁中的功率轉(zhuǎn)換部��
IRFP260N, STP30NF12W, FDP18N12A