GA1210Y184KBXAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠顯著為N溝道增強(qiáng)型MOSFET,具有出色的�(kāi)�(guān)特性和熱穩(wěn)定�,非常適合用于需要高效能和高可靠性的電路�(shè)�(jì)��
型號(hào):GA1210Y184KBXAR31G
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
漏源極擊穿電壓:120V
連續(xù)漏極電流�10A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.8mΩ
柵極電荷�65nC
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可減少�(dǎo)通損耗并提升效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
3. 出色的熱�(wěn)定性和魯棒�,能夠在極端條件下可靠運(yùn)��
4. 具備抗雪崩能力和�(guò)流保�(hù)功能,增�(qiáng)系統(tǒng)的安全��
5. 小尺寸封裝,節(jié)省PCB空間,便于緊湊型�(shè)�(jì)�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
5. 汽車(chē)電子中的�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模�