GA1210Y184JBXAT31G 是一款高性能的存�(chǔ)芯片,通常用于�(shù)�(jù)存儲(chǔ)和處�。該芯片屬于 NAND Flash 存儲(chǔ)器系�,具有高密度、低功耗和快速讀寫速度的特�(diǎn)。適用于消費(fèi)電子、工�(yè)�(shè)備以及嵌入式系統(tǒng)等場(chǎng)��
這款芯片采用了先�(jìn)的制造工�,能夠在有限的空間內(nèi)提供大容量的�(shù)�(jù)存儲(chǔ)能力。同�(shí),其�(wěn)定性和可靠性使其成為眾多應(yīng)用的理想選擇�
類型:NAND Flash
容量�128GB
接口:Toggle DDR 2.0
電壓�1.8V
封裝:BGA
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
�(shù)�(jù)保存�(shí)間:10�
擦寫壽命�3000�
GA1210Y184JBXAT31G 具有以下顯著特性:
1. 高速數(shù)�(jù)傳輸:支� Toggle DDR 2.0 接口,能�?qū)崿F(xiàn)更快的數(shù)�(jù)讀取和寫入速度�
2. 大容量存�(chǔ)�?jiǎn)晤w芯片即可提供 128GB 的存�(chǔ)空間,適合需要大容量存儲(chǔ)的應(yīng)��
3. 低功耗設(shè)�(jì):優(yōu)化的電路�(shè)�(jì)降低了整體功耗,延長(zhǎng)了設(shè)備的�(xù)航時(shí)��
4. 可靠性高:具備強(qiáng)大的 ECC(錯(cuò)誤檢查與糾正)功能,確保�(shù)�(jù)的完整性和可靠��
5. 廣泛的工作溫度范圍:適應(yīng)各種惡劣�(huán)�,可� -40°C � +85°C 的溫度范圍內(nèi)正常工作�
該芯片主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 智能手機(jī)和平板電腦等消費(fèi)類電子產(chǎn)品中作為存儲(chǔ)介質(zhì)�
2. 工業(yè)控制�(shè)備中的固�(tài)存儲(chǔ)解決方案�
3. 嵌入式系�(tǒng)中的�(shù)�(jù)記錄和存�(chǔ)功能�
4. �(jiān)控錄像設(shè)備中的高速數(shù)�(jù)存儲(chǔ)需��
5. 物聯(lián)�(wǎng)�(shè)備中的本�?cái)?shù)�(jù)緩存和存�(chǔ)�
GA1210Y184JAXAT31G
GA1210Y184JBQAT31G
GA1210Y184JRXAT31G