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GA1210Y183JXLAT31G 發(fā)布時間 時間�2025/6/4 3:54:44 查看 閱讀�6

GA1210Y183JXLAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率、高頻開�(guān)�(yīng)用設(shè)�。該型號采用先進的半導(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動以及消費類電子�(shè)備中。其封裝形式通常為表面貼裝類�,適合自動化生產(chǎn)�

參數(shù)

型號:GA1210Y183JXLAT31G
  類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電壓Vds�60V
  最大柵源電壓Vgs:�20V
  連續(xù)漏極電流Id�12A
  �(dǎo)通電阻Rds(on)�1.5mΩ(典型�,在Vgs=10V時)
  總功耗Ptot�75W
  工作溫度范圍Tj�-55°C to +175°C
  封裝形式:TO-252 (DPAK)

特�

GA1210Y183JXLAT31G的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少�(dǎo)通損�,提升整體效��
  2. 快速開�(guān)能力,適用于高頻PWM控制電路�
  3. 高擊穿電壓,確保在復(fù)雜電路環(huán)境下具有良好的穩(wěn)定��
  4. �(yōu)化的熱性能�(shè)�,可有效降低工作溫度,延長使用壽��
  5. 支持表面貼裝技�(shù)(SMT),便于大�(guī)模生�(chǎn)和自動化組裝�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
  該器件通過先進的制程技�(shù)實現(xiàn)了低開關(guān)損耗和高可靠�,是許多高效能功率轉(zhuǎn)換系�(tǒng)中的理想選擇�

�(yīng)�

GA1210Y183JXLAT31G被廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)及AC-DC適配��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器和同步整流電路�
  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控��
  4. 消費類電子產(chǎn)品,如筆記本電腦和平板電腦的充電電路�
  5. 工業(yè)級電機驅(qū)動和逆變器�
  6. LED照明�(qū)動電��
  其高效率和耐用性使其成為這些�(yīng)用場景中的關(guān)鍵組��

替代型號

GA1210Y183JXLAT31H, IRF540N, FDP5500

ga1210y183jxlat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.018 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定630V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-