GA1210Y183JBEAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換等應(yīng)用。該芯片具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性,能夠顯著提高系統(tǒng)效率并降低功耗。
這款器件采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,確保其在高頻率和高電流應(yīng)用場(chǎng)景下的穩(wěn)定性和可靠性。此外,它還具備良好的熱性能和抗電磁干擾能力,適合工業(yè)級(jí)和消費(fèi)級(jí)電子設(shè)備使用。
類(lèi)型:功率 MOSFET
封裝:TO-263
最大漏源電壓(Vds):120V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):10A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):35mΩ
總功耗(Ptot):25W
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
GA1210Y183JBEAR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可有效減少傳導(dǎo)損耗,提升整體效率。
2. 快速開(kāi)關(guān)速度,適用于高頻應(yīng)用場(chǎng)合。
3. 高擊穿電壓設(shè)計(jì),增強(qiáng)器件的耐壓能力。
4. 內(nèi)置反向恢復(fù)二極管,進(jìn)一步優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能。
5. 出色的熱穩(wěn)定性,能夠在極端溫度條件下保持正常運(yùn)行。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且支持無(wú)鉛焊接工藝。
該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS) 和 AC-DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流電路。
2. 電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)電路,如步進(jìn)電機(jī)和直流無(wú)刷電機(jī)。
3. LED 照明驅(qū)動(dòng)電路,提供高效且穩(wěn)定的電流輸出。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)電路。
5. 汽車(chē)電子系統(tǒng),例如電池管理系統(tǒng)(BMS) 和車(chē)載充電器(OBC)。
6. 各類(lèi)消費(fèi)電子產(chǎn)品中的功率管理模塊,如筆記本電腦適配器和智能手機(jī)快充頭。
IRFZ44N, FQP50N06L, STP10NK60Z