類(lèi)型：N溝道增強(qiáng)型 MOSFET
　　漏源極電壓(Vdss)：120V
　　連續(xù)漏極電流(Id)：16A
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：3.8mΩ（典型值，在 Vgs=10V 下）
　　柵極電荷(Qg)：74nC（典型值）
　　輸入電容(Ciss)：2490pF（典型值）
　　最大功耗(Pd)：18(Tj)：-55℃ 至 +175℃

GA1210Y153MBAAT31G 的主要特性包括：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，有助于減少傳導(dǎo)損耗，提高效率。
　　2. 高速開(kāi)關(guān)能力，支持高達(dá) 1MHz 的開(kāi)關(guān)頻率。
　　3. 出色的熱穩(wěn)定性，能夠在極端溫度條件下可靠運(yùn)行。
　　4. 內(nèi)置反向恢復(fù)二極管，優(yōu)化了續(xù)流性能。
　　5. 小尺寸封裝設(shè)計(jì)，節(jié)省電路板空間。
　　6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且安全。

該 MOSFET 廣泛應(yīng)用于以下場(chǎng)景：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 中的同步整流和主開(kāi)關(guān)元件。
　　2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率級(jí)開(kāi)關(guān)。
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的逆變器和斬波器電路。
　　4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)。
　　5. 充電器、適配器以及其他便攜式電子設(shè)備中的功率管理部分。

GA1210Y153MBAT31G, IRF7832, FDP16N120E