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GA1210Y153JBCAR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/26 20:51:46 查看 閱讀�16

GA1210Y153JBCAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等高效率電力電子�(shè)備中。該芯片采用先�(jìn)的制造工藝,在降低導(dǎo)通電阻的同時(shí)提高了開�(guān)速度,從而提升了整體系統(tǒng)的效率和性能�
  其封裝形式通常為TO-220或D2PAK,能夠承受較高的電流和電�,同�(shí)具備�(yōu)良的熱性能,適用于需要高可靠性和高功率密度的�(shè)�(jì)�(chǎng)��

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)� MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�1200V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�15A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�300mΩ(典型�,@Vgs=10V�
  總柵極電�(Qg)�65nC
  輸入電容(Ciss)�2000pF
  開關(guān)頻率:高�(dá)500kHz
  工作溫度范圍�-55°C�+150°C

特�

GA1210Y153JBCAR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)能力,支持高頻應(yīng)�,降低磁性元件體積�
  3. 具備�(yōu)異的雪崩能力和魯棒�,確保在異常條件下仍能正常工作�
  4. �(nèi)置ESD保護(hù)電路,提升器件抗靜電能力�
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
  6. 封裝具有良好的散熱性能,適合大功率�(yīng)用環(huán)��

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS),例如適配器、充電器��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器,用于汽車電子和工業(yè)控制�(lǐng)��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng),特別適合無刷直流電�(jī)(BLDC)控制�
  4. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)中的功率�(zhuǎn)��
  5. UPS不間斷電源及電池管理系統(tǒng)(BMS)�
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源管理和�(qū)�(dòng)電路�

替代型號(hào)

GA1210Y153JBAQ29G
  IRFP460
  FQA15N120
  STW84N120

ga1210y153jbcar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.015 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-