GA1210Y123MXEAT31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)域。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能等特�(diǎn),適合在高效率和高密度的電力電子系統(tǒng)中使用�
其封裝形式通常為TO-263(D2PAK�,并具備�(qiáng)大的電流處理能力和良好的散熱特性,有助于提高系�(tǒng)的整體效率和可靠��
型號(hào):GA1210Y123MXEAT31G
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vdss)�12V
連續(xù)漏極電流(Id)�100A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.2mΩ(典型值)
柵極電荷(Qg)�35nC
總功�(Ptot)�150W
工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝:TO-263
GA1210Y123MXEAT31G 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于降低傳�(dǎo)損�,提升效率�
2. 高電流承載能�,能夠支持大功率�(yīng)��
3. 快速開�(guān)特�,減少開�(guān)損��
4. �(yōu)化的熱阻�(shè)�(jì),確保在高溫�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
6. 封裝�(jiān)固耐用,適合表面貼裝或通過孔安裝方��
這些特點(diǎn)使得該器件非常適合用于工�(yè)控制、汽車電子以及通信電源等場(chǎng)景�
該芯片廣泛應(yīng)用于多種�(lǐng)�,例如:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率�(jí)開關(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流和主開關(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率輸出�(jí)�
4. �(fù)載切換和保護(hù)電路�
5. 大電流負(fù)載的控制與管��
6. 逆變器及不間斷電�(UPS)系統(tǒng)�
其卓越的性能和可靠性使其成為眾多電力電子應(yīng)用的理想選擇�
GA1210Y123MXEAT32G, IRFZ44N, FDP18N10