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GA1210Y123MBCAR31G 發(fā)布時間 時間�2025/6/4 3:51:23 查看 閱讀�7

GA1210Y123MBCAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等電力電子�(lǐng)�。該芯片采用先進的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠性�
  其封裝形式為行業(yè)標準的表面貼裝器件(SMD�,便于自動化生產(chǎn)和焊�,同時具備出色的電氣和機械性能�

參數(shù)

類型:N溝道 MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):120V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):10A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.5mΩ
  柵極電荷(Qg):45nC
  總電容(Ciss):2200pF
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-263

特�

GA1210Y123MBCAR31G 的主要特點是其低�(dǎo)通電�,僅� 3.5mΩ,能夠在高電流應(yīng)用中顯著降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
  此外,該器件還具備快速開�(guān)能力,柵極電荷低� 45nC,有助于減少開關(guān)損耗并支持高頻操作�
  芯片的工作溫度范圍寬�,從 -55°C � +175°C,使其適用于惡劣�(huán)境下的工�(yè)和汽車應(yīng)��
  其封裝形� TO-263 提供了良好的散熱性能,并且與�(xiàn)有設(shè)計兼�,便于升級或替代�(xiàn)有方案�
  總體而言,這款 MOSFET 在效�、可靠性和易用性方面表�(xiàn)出色,是許多功率�(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

該芯片適合于多種電力電子�(yīng)�,包括但不限于以下場景:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流器�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率級控制�
  3. 電機�(qū)動電路中的功率開�(guān)�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負載開�(guān)或保護電路�
  5. 工業(yè)�(shè)備中的繼電器替代��
  6. 汽車電子中的高邊/低邊開關(guān)�
  由于其高效率和高可靠�,GA1210Y123MBCAR31G 在消費電子、工�(yè)控制和汽車電子等�(lǐng)域均具有廣泛�(yīng)用前��

替代型號

IRFZ44N
  FDP5500
  STP10NK06Z

ga1210y123mbcar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.012 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-