GA1210Y123MBCAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等電力電子�(lǐng)�。該芯片采用先進的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠性�
其封裝形式為行業(yè)標準的表面貼裝器件(SMD�,便于自動化生產(chǎn)和焊�,同時具備出色的電氣和機械性能�
類型:N溝道 MOSFET
最大漏源電壓(Vds):120V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):10A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.5mΩ
柵極電荷(Qg):45nC
總電容(Ciss):2200pF
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-263
GA1210Y123MBCAR31G 的主要特點是其低�(dǎo)通電�,僅� 3.5mΩ,能夠在高電流應(yīng)用中顯著降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
此外,該器件還具備快速開�(guān)能力,柵極電荷低� 45nC,有助于減少開關(guān)損耗并支持高頻操作�
芯片的工作溫度范圍寬�,從 -55°C � +175°C,使其適用于惡劣�(huán)境下的工�(yè)和汽車應(yīng)��
其封裝形� TO-263 提供了良好的散熱性能,并且與�(xiàn)有設(shè)計兼�,便于升級或替代�(xiàn)有方案�
總體而言,這款 MOSFET 在效�、可靠性和易用性方面表�(xiàn)出色,是許多功率�(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�
該芯片適合于多種電力電子�(yīng)�,包括但不限于以下場景:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流器�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率級控制�
3. 電機�(qū)動電路中的功率開�(guān)�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負載開�(guān)或保護電路�
5. 工業(yè)�(shè)備中的繼電器替代��
6. 汽車電子中的高邊/低邊開關(guān)�
由于其高效率和高可靠�,GA1210Y123MBCAR31G 在消費電子、工�(yè)控制和汽車電子等�(lǐng)域均具有廣泛�(yīng)用前��
IRFZ44N
FDP5500
STP10NK06Z