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時(shí)間：2025/5/19 8:36:21
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GA1210H563MXXAT31G 是一款高性能的存儲(chǔ)芯片，主要用于大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和讀取任務(wù)。該型號(hào)屬于 NAND Flash 類型，基于 3D TLC 技術(shù)架構(gòu)，具有高密度、高速度以及低功耗的特點(diǎn)。其設(shè)計(jì)廣泛應(yīng)用于固態(tài)硬盤（SSD）、嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備、工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)解決方案等領(lǐng)域。
此款芯片支持多接口協(xié)議，包括 ONFI 和 Toggle 模式，具備強(qiáng)大的錯(cuò)誤糾正能力（ECC）以保證數(shù)據(jù)可靠性。同時(shí)，它也集成了多種安全功能，如端到端數(shù)據(jù)保護(hù)和加密技術(shù)，確保數(shù)據(jù)傳輸?shù)陌踩浴?/p>
類型：NAND Flash
工藝：1TB
接口：ONFI 4.0, Toggle 3.0
工作電壓：2.7V - 3.6V
數(shù)據(jù)傳輸速率：最大533MT/s
擦寫壽命：約3000次
工作溫度范圍：-40℃ 至 +85℃
封裝形式：BGA
I/O接口電壓：1.8V
GA1210H563MXXAT31G 提供了卓越的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)性能，采用先進(jìn)的 3D TLC 技術(shù)，相比傳統(tǒng)平面 NAND 芯片顯著提高了存儲(chǔ)密度并降低了單位成本。
其支持高速接口協(xié)議，能夠?qū)崿F(xiàn)更快的數(shù)據(jù)讀寫速度，適合需要快速響應(yīng)的應(yīng)用場(chǎng)景。
芯片內(nèi)置了強(qiáng)大的 ECC 引擎，可有效檢測(cè)和糾正位錯(cuò)誤，從而提升數(shù)據(jù)的可靠性。
此外，這款芯片還具備較低的工作功耗，在待機(jī)模式下進(jìn)一步優(yōu)化了能源效率，非常適合對(duì)功耗敏感的設(shè)計(jì)。
在安全性方面，該芯片支持 AES 加密算法，并提供硬件級(jí)別的數(shù)據(jù)保護(hù)措施，保障用戶數(shù)據(jù)的私密性和完整性。
它還擁有寬泛的工作溫度范圍，能夠在惡劣環(huán)境下保持穩(wěn)定的運(yùn)行表現(xiàn)。
GA1210H563MXXAT31G 廣泛用于消費(fèi)電子領(lǐng)域中的高性能存儲(chǔ)產(chǎn)品，例如筆記本電腦和臺(tái)式機(jī)用 SSD、移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備等。
在企業(yè)級(jí)市場(chǎng)中，該芯片被集成到服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心使用的存儲(chǔ)陣列中，提供可靠的大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案。
此外，它也適用于工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備、醫(yī)療儀器、車載系統(tǒng)以及其他需要長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行的嵌入式系統(tǒng)中。
GA1210H563MXXAT31F
GA1210H563MXXBT31G
IC型號(hào)索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
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