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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1210H563KXXAR31G

GA1210H563KXXAR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/30 17:58:29 查看 閱讀�12

GA1210H563KXXAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和DC-DC�(zhuǎn)換器等應(yīng)用領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠有效提升系�(tǒng)效率并降低功��
  這款功率MOSFET支持高頻開關(guān)操作,適用于各種工業(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率管理方�。其卓越的熱性能和可靠性使得它在高電流和高電壓�(huán)境下表現(xiàn)出色�

參數(shù)

類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�1200V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  持續(xù)漏極電流(Id)�56A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ
  總功�(Ptot)�360W
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝形式:D2PAK

特�

GA1210H563KXXAR31G具備以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體效率�
  2. 高速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)景�
  3. �(qiáng)大的雪崩能力和堅(jiān)固的�(shè)�(jì),提供更高的系統(tǒng)可靠��
  4. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(wú)鉛�
  5. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在極端溫度條件下正常工��
  6. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)抗靜電能��
  7. 支持大電流操�,適用于多種高功率應(yīng)用環(huán)境�

�(yīng)�

該器件廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)�(shè)�(jì)中的主開�(guān)��
  2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)系統(tǒng)中的功率�(jí)元件�
  3. DC-DC�(zhuǎn)換器中作為同步整流或高壓�(cè)開關(guān)�
  4. 太陽(yáng)能逆變器以及其他可再生能源相關(guān)�(shè)��
  5. 各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的消費(fèi)類電子產(chǎn)�,例如筆記本電腦適配�、電視電源等�

替代型號(hào)

GA1210H563KXXBR31G
  IRFP260N
  FDP18N120
  STW15NM120

ga1210h563kxxar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.056 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-