GA1210H563KXXAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和DC-DC�(zhuǎn)換器等應(yīng)用領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠有效提升系�(tǒng)效率并降低功��
這款功率MOSFET支持高頻開關(guān)操作,適用于各種工業(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率管理方�。其卓越的熱性能和可靠性使得它在高電流和高電壓�(huán)境下表現(xiàn)出色�
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�1200V
最大柵源電�(Vgs):�20V
持續(xù)漏極電流(Id)�56A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ
總功�(Ptot)�360W
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:D2PAK
GA1210H563KXXAR31G具備以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體效率�
2. 高速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)景�
3. �(qiáng)大的雪崩能力和堅(jiān)固的�(shè)�(jì),提供更高的系統(tǒng)可靠��
4. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(wú)鉛�
5. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在極端溫度條件下正常工��
6. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)抗靜電能��
7. 支持大電流操�,適用于多種高功率應(yīng)用環(huán)境�
該器件廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)�(shè)�(jì)中的主開�(guān)��
2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)系統(tǒng)中的功率�(jí)元件�
3. DC-DC�(zhuǎn)換器中作為同步整流或高壓�(cè)開關(guān)�
4. 太陽(yáng)能逆變器以及其他可再生能源相關(guān)�(shè)��
5. 各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的消費(fèi)類電子產(chǎn)�,例如筆記本電腦適配�、電視電源等�
GA1210H563KXXBR31G
IRFP260N
FDP18N120
STW15NM120