時(shí)間：2025/6/9 15:40:02
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GA1210H563KBAAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，專為高效率和低功耗應(yīng)用設(shè)計(jì)。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝，具有較低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度，廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動、DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。
該器件具備出色的熱性能和電氣性能，能夠在高負(fù)載條件下保持穩(wěn)定運(yùn)行。同時(shí)，它還支持多種保護(hù)功能，例如過流保護(hù)和短路保護(hù)，從而提高了系統(tǒng)的可靠性和安全性。
類型：MOSFET
封裝：TO-247
最大漏源電壓(Vds)：1200V
最大柵源電壓(Vgs)：±20V
最大漏極電流(Id)：20A
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：0.05Ω
功耗(Ptot)：200W
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
GA1210H563KBAAT31G 的主要特性包括：
1. 高耐壓能力：支持高達(dá) 1200V 的漏源電壓，適用于高壓應(yīng)用場景。
2. 低導(dǎo)通電阻：僅為 0.05Ω，能夠有效降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
3. 快速開關(guān)性能：具備較小的柵極電荷和輸出電容，確�？焖俚拈_關(guān)速度。
4. 強(qiáng)大的散熱能力：采用 TO-247 封裝，可有效散發(fā)熱量，提升長期可靠性。
5. 多重保護(hù)機(jī)制：內(nèi)置過流保護(hù)和短路保護(hù)功能，防止異常情況下對器件造成損壞。
6. 寬溫度范圍：能夠在 -55℃ 至 +175℃ 的溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作，適應(yīng)各種惡劣環(huán)境。
該芯片適用于以下領(lǐng)域：
1. 工業(yè)設(shè)備：如變頻器、伺服驅(qū)動器等需要高效率功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。
2. 電動汽車：用于車載充電器、逆變器以及電池管理系統(tǒng)。
3. 可再生能源：如太陽能逆變器、風(fēng)能發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)模塊。
4. 通信電源：提供高效可靠的直流電源轉(zhuǎn)換解決方案。
5. 消費(fèi)電子：如筆記本電腦適配器、家用電器中的電源部分。
GA1210H563KBAAQ21G, IRFP260N, STP12NM60
