GA1210H273JBAAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于高效率開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電機驅(qū)動等�(lǐng)�。該器件采用先進的半導(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、快速開�(guān)特性和出色的熱性能,能夠顯著提升系�(tǒng)的整體效率并減少能量損耗�
該型號為N溝道增強型MOSFET,適合在高頻開關(guān)條件下使�,同時具備良好的抗浪涌電流能力,適用于多種工�(yè)及消費類電子�(chǎn)��
最大漏源電壓:120V
連續(xù)漏極電流�27A
�(dǎo)通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�85nC
輸入電容�1200pF
開關(guān)時間:開啟時�14ns,關(guān)閉時�22ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于降低�(dǎo)通損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 快速的開關(guān)速度,減少開�(guān)損�,并適配高頻�(yīng)用環(huán)��
3. 高度集成的保護功能,如過流保護和短路保護,確保穩(wěn)定運行�
4. 小型化的封裝�(shè)�,節(jié)省PCB空間,便于高密度布局�
5. 具備出色的熱�(wěn)定�,在高溫�(huán)境下仍能保持�(yōu)良性能�
6. 符合RoHS標準,綠色環(huán)�,支持無鉛焊接工藝�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開�(guān)管或同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的高頻開關(guān)元件�
3. 電機�(qū)動電路中的功率控制器��
4. LED照明�(qū)動電路中的負載切換元��
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模��
6. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和負載控制部分�
GA1210H273JBAAR31G-A, IRFZ44N, FDP5501