型號(hào)：GA1210H183KXAAT31G
　　類型：N溝道功率MOSFET
　　電壓等級(jí)（Vds）：120V
　　電流等級(jí)（Id）：30A
　　導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：1.8mΩ
　　柵極電荷（Qg）：65nC
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
　　封裝形式：TO-247

GA1210H183KXAAT31G具有以下顯著特點(diǎn)：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻，能夠有效減少功率損耗，提高系統(tǒng)效率。
　　2. 高速開(kāi)關(guān)性能，適合高頻應(yīng)用場(chǎng)合。
　　3. 強(qiáng)大的散熱能力，支持長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行。
　　4. 良好的短路耐受能力，增強(qiáng)了產(chǎn)品的可靠性。
　　5. 寬泛的工作溫度范圍，適應(yīng)多種極端環(huán)境條件。
　　6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且安全可靠。

該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS），包括適配器和充電器。
　　2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制，如家用電器中的風(fēng)扇和泵。
　　3. DC-DC轉(zhuǎn)換器，用于汽車(chē)電子和通信設(shè)備。
　　4. UPS不間斷電源系統(tǒng)。
　　5. 太陽(yáng)能逆變器和儲(chǔ)能系統(tǒng)。
　　6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。

IRFP2907ZPBF, FDP15N120APBF, STW13NM120DH5