GA1210H124MXXAR31G是一款高性能的功率MOSFET器件,基于先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝設(shè)�(jì)而成。該器件適用于高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用和高效能電源管理場(chǎng)�,具有低�(dǎo)通電阻、高�(kāi)�(guān)速度以及出色的熱性能�
該型�(hào)主要針對(duì)汽車電子、工�(yè)�(shè)備以及消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用�(jìn)行了�(yōu)化。其封裝形式為TO-263(D2PAK�,能夠提供卓越的電氣性能和可靠��
最大漏源電壓:100V
最大柵極源極電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�50A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.2mΩ
柵極電荷�80nC
反向恢復(fù)�(shí)間:75ns
工作溫度范圍�-55℃至175�
封裝形式:TO-263(D2PAK�
GA1210H124MXXAR31G采用最新的溝槽式MOSFET技�(shù),具備以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)性能,支持高頻操�,非常適合開(kāi)�(guān)電源和DC-DC�(zhuǎn)換器�
3. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了在異常條件下的耐用��
4. 緊湊且堅(jiān)固的封裝�(shè)�(jì),提升了散熱性能和機(jī)械穩(wěn)定性�
5. 符合AEC-Q101�(biāo)�(zhǔn),滿足汽車級(jí)�(yīng)用對(duì)可靠性的�(yán)格要求�
6. 支持寬范圍的工作溫度,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境�
該器件廣泛應(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和�(kāi)�(guān)控制的領(lǐng)�,包括但不限于:
1. 汽車電子系統(tǒng),如電動(dòng)助力�(zhuǎn)向(EPS)、車載充電器(OBC)和DC-DC�(zhuǎn)換器�
2. 工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)和電源管理模��
3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的適配器和充電器�
4. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源相�(guān)的電力轉(zhuǎn)換設(shè)��
5. 高效能服�(wù)器和通信�(shè)備中的電源解決方��
GA1210H124MXXBR31G, IRF3205, FDP55N10E