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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1210H123KXXAT31G

GA1210H123KXXAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/22 11:30:29 查看 閱讀�18

GA1210H123KXXAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)� DC-DC �(zhuǎn)換器等場(chǎng)�。該芯片采用了先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),從而有效提升了系統(tǒng)的效率和�(wěn)定��
  該型�(hào)屬于溝槽� MOSFET 系列,具有出色的熱性能和電氣特性,適用于高頻率和高電流的應(yīng)用環(huán)��

參數(shù)

�(lèi)型:N溝道 MOSFET
  封裝形式:TO-252 (DPAK)
  漏源極電�(Vds)�120V
  連續(xù)漏極電流(Id)�10A
  柵極電荷(Qg)�40nC
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�8mΩ
  工作溫度范圍�-55� to +175�
  最大功耗:1.6W

特�

GA1210H123KXXAT31G 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠顯著降低�(dǎo)通損��
  2. 高速開(kāi)�(guān)性能,支持高�(dá) 2MHz 的開(kāi)�(guān)頻率�
  3. 出色的熱�(wěn)定�,確保在高溫�(huán)境下依然保持高效�(yùn)��
  4. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,提高了芯片的可靠性和抗干擾能��
  5. 小型化的封裝�(shè)�(jì),適合緊湊型電路板布局�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛材料制��

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于各類(lèi)電子�(shè)備中,包括但不限于:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS),如適配�、充電器等�
  2. 各類(lèi)電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,例如步�(jìn)電機(jī)、無(wú)刷直流電�(jī)��
  3. 工業(yè)自動(dòng)化控制中的負(fù)載切換�
  4. LED �(qū)�(dòng)電路和背光驅(qū)�(dòng)�
  5. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的 DC-DC �(zhuǎn)換模塊�
  6. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制電��

替代型號(hào)

GA1210H123KXXAT31G-A, IRFZ44N, FDP16N12

ga1210h123kxxat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.012 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線(xiàn)間距-
  • 引線(xiàn)樣式-