GA1210H123KBXAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于高效率開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開�(guān)等場�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,在保證低導(dǎo)通電阻的同時(shí),具有出色的開關(guān)特性和熱性能。其封裝形式緊湊,適合對空間要求較高的設(shè)�(jì)�(huán)境�
這款器件通常被用于需要高效能和高可靠性的�(yīng)用場�,例如工�(yè)�(shè)備、通信電源以及消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理部��
型號:GA1210H123KBXAR31G
類型:N-Channel MOSFET
額定電壓�120V
額定電流�45A
�(dǎo)通電阻:2.5mΩ(典型�,@Vgs=10V�
柵極電荷�75nC
總功耗:180W
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-263(D2PAK�
GA1210H123KBXAR31G具有非常低的�(dǎo)通電阻,從而能夠顯著降低傳�(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。此外,其優(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì)使其具備快速的開關(guān)速度,可以減少開�(guān)損��
該芯片還具備較強(qiáng)的雪崩能力和熱穩(wěn)定�,能夠在惡劣的工作條件下保持�(wěn)定運(yùn)�。同�(shí),它支持高頻操作,非常適合現(xiàn)代電力電子設(shè)備的需��
其堅(jiān)固的�(shè)�(jì)也確保了在各種復(fù)雜應(yīng)用場景下的可靠性,包括但不限于短路保護(hù)和過溫保�(hù)功能。這些特點(diǎn)使得GA1210H123KBXAR31G成為許多高性能�(yīng)用的理想選擇�
該芯片廣泛應(yīng)用于多種�(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
1. 開關(guān)電源(SMPS),如AC-DC適配器和USB-PD充電��
2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電路�
3. 高效�(fù)載開�(guān)和電池管理系�(tǒng)�
4. 通信基站電源模塊�
5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的電源管理和配電單��
由于其出色的電氣性能和可靠�,GA1210H123KBXAR31G特別適合那些需要在高效�、高溫和高頻率環(huán)境下工作的應(yīng)用�
IRFZ44N
FDP5500
STP120NF10L