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GA1210H123KBAAR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 19:31:35 查看 閱讀�3

GA1210H123KBAAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開�(guān)等應(yīng)用領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高電流承載能力和出色的熱性能。其封裝形式為TO-263(D2PAK�,適用于需要高效能和高可靠性的工業(yè)及消�(fèi)類電子產(chǎn)��
  這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體�,通過柵極電壓控制漏極與源極之間的�(dǎo)通狀�(tài)。由于其�(yōu)秀的電氣特�,GA1210H123KBAAR31G被廣泛應(yīng)用于�(jì)算機(jī)、通信�(shè)�、家用電器以及汽車電子系�(tǒng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  連續(xù)漏極電流�30A
  �(dǎo)通電阻:1.5mΩ
  柵極電荷�45nC
  輸入電容�1200pF
  總功耗:20W
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

GA1210H123KBAAR31G具備以下顯著特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電�,可有效降低傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)境�
  3. 出色的熱�(wěn)定�,能夠在極端溫度條件下保持正常運(yùn)��
  4. �(nèi)置ESD保護(hù)電路,增�(qiáng)抗靜電能力�
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�
  6. 封裝�(jiān)固耐用,支持表面貼裝技�(shù)(SMT),便于自動(dòng)化生�(chǎn)�

�(yīng)�

該芯片主要應(yīng)用于以下場景�
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流元��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率級開�(guān)�
  3. 各種電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,如步�(jìn)電機(jī)、直流無刷電�(jī)��
  4. �(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路,用于快速切斷異常電��
  5. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理模塊�
  6. 工業(yè)控制�(shè)備中的功率調(diào)節(jié)單元�

替代型號

IRFZ44N
  FDP5500
  STP36NF06L

ga1210h123kbaar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.012 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-