GA1210H123JXXAT31G 是一款高性能、低功耗的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備出色的電氣特性和可靠�,能夠滿足多種工�(yè)及消�(fèi)類電子產(chǎn)品的�(shè)�(jì)需��
這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體�,具有較低的�(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,有助于提高整體系統(tǒng)的效率并降低�(fā)熱問題�
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
耐壓(Vdss)�120V
�(dǎo)通電�(Rds(on))�12mΩ(典型�,Vgs=10V�(shí)�
連續(xù)漏極電流(Id)�40A
柵極電荷(Qg)�75nC
輸入電容(Ciss)�2800pF
總功�(Ptot)�150W
工作溫度范圍(Top)�-55℃至+175�
GA1210H123JXXAT31G 的主要特�(diǎn)包括�
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少�(dǎo)通損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
3. 高雪崩能量承受能力,增強(qiáng)了器件在異常條件下的魯棒��
4. 小型化封裝設(shè)�(jì),便于集成到緊湊型電路板��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(wú)��
6. �(yōu)異的熱性能,確保長(zhǎng)�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)��
這些特性使該器件非常適合需要高效能和高可靠性的電力電子�(shè)��
該芯片可�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)的設(shè)�(jì),例如適配器、充電器��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器,用于電壓調(diào)節(jié)和電源管��
3. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
5. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和電�(jī)控制�
由于其卓越的性能和穩(wěn)定�,GA1210H123JXXAT31G 成為許多工程師在相關(guān)�(xiàng)目中的首選解決方��
GA1210H12>IRFZ44N
FDP5560
STP40NF12W
IXYS40N120T2