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GA1210A821KXLAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/26 13:45:01 查看 閱讀�17

GA1210A821KXLAT31G 是一款高性能� GaAs(砷化鎵)工藝制造的射頻功率放大器芯片,廣泛�(yīng)用于�(wú)線通信、衛(wèi)星通信和雷�(dá)系統(tǒng)等領(lǐng)域。該器件具有高增�、高線性度和低失真的特�(diǎn),適用于需要高效射頻信�(hào)放大的場(chǎng)��
  該芯片采用了先�(jìn)的砷化鎵異質(zhì)�(jié)晶體管(pHEMT)技�(shù),能夠提供卓越的射頻性能,同�(shí)具備出色的穩(wěn)定性和可靠�。其封裝形式為符合工�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的小型表面貼裝封�,便于在各種電子�(shè)備中集成�

參數(shù)

型號(hào):GA1210A821KXLAT31G
  工藝:GaAs pHEMT
  工作頻率范圍�8-12GHz
  增益�35dB(典型值)
  輸出功率�1dB 壓縮�(diǎn)):25dBm(最小值)
  飽和輸出功率�28dBm(最小值)
  輸入匹配阻抗�50Ω
  輸出匹配阻抗�50Ω
  電源電壓�6V
  靜態(tài)電流�200mA(典型值)
  封裝形式:SMD
  工作溫度范圍�-40℃至+85�

特�

1. 高增益:GA1210A821KXLAT31G 提供高達(dá) 35dB 的增�,能夠在高頻段實(shí)�(xiàn)�(qiáng)大的信號(hào)放大功能�
  2. 高效率:采用 GaAs 工藝制�,確保了芯片在高頻段的高效率�(yùn)��
  3. 寬帶支持:該器件的工作頻率范圍覆� 8GHz � 12GHz,適合多種寬帶應(yīng)用需��
  4. �(wěn)定性與可靠性:�(jīng)�(guò)�(yán)格的�(cè)試和篩選,保證了在復(fù)雜環(huán)境下的長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行�
  5. 小型化設(shè)�(jì):采� SMD 表面貼裝封裝,有助于減小整體電路板尺寸并提高集成��

�(yīng)�

1. �(wèi)星通信系統(tǒng)中的上行鏈路放大器�
  2. 軍事雷達(dá)系統(tǒng)中的射頻前端模塊�
  3. 微波�(diǎn)�(duì)�(diǎn)通信系統(tǒng)中的功率放大��
  4. �(wú)線基�(chǔ)�(shè)施設(shè)備如基站的射頻放大組��
  5. �(cè)試與�(cè)�?jī)x器中的高性能射頻信號(hào)��

替代型號(hào)

GA1210A822KXLAT31G, GA1210A823KXLAT31G

ga1210a821kxlat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容820 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定630V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-