GA1210A821KXLAT31G 是一款高性能� GaAs(砷化鎵)工藝制造的射頻功率放大器芯片,廣泛�(yīng)用于�(wú)線通信、衛(wèi)星通信和雷�(dá)系統(tǒng)等領(lǐng)域。該器件具有高增�、高線性度和低失真的特�(diǎn),適用于需要高效射頻信�(hào)放大的場(chǎng)��
該芯片采用了先�(jìn)的砷化鎵異質(zhì)�(jié)晶體管(pHEMT)技�(shù),能夠提供卓越的射頻性能,同�(shí)具備出色的穩(wěn)定性和可靠�。其封裝形式為符合工�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的小型表面貼裝封�,便于在各種電子�(shè)備中集成�
型號(hào):GA1210A821KXLAT31G
工藝:GaAs pHEMT
工作頻率范圍�8-12GHz
增益�35dB(典型值)
輸出功率�1dB 壓縮�(diǎn)):25dBm(最小值)
飽和輸出功率�28dBm(最小值)
輸入匹配阻抗�50Ω
輸出匹配阻抗�50Ω
電源電壓�6V
靜態(tài)電流�200mA(典型值)
封裝形式:SMD
工作溫度范圍�-40℃至+85�
1. 高增益:GA1210A821KXLAT31G 提供高達(dá) 35dB 的增�,能夠在高頻段實(shí)�(xiàn)�(qiáng)大的信號(hào)放大功能�
2. 高效率:采用 GaAs 工藝制�,確保了芯片在高頻段的高效率�(yùn)��
3. 寬帶支持:該器件的工作頻率范圍覆� 8GHz � 12GHz,適合多種寬帶應(yīng)用需��
4. �(wěn)定性與可靠性:�(jīng)�(guò)�(yán)格的�(cè)試和篩選,保證了在復(fù)雜環(huán)境下的長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行�
5. 小型化設(shè)�(jì):采� SMD 表面貼裝封裝,有助于減小整體電路板尺寸并提高集成��
1. �(wèi)星通信系統(tǒng)中的上行鏈路放大器�
2. 軍事雷達(dá)系統(tǒng)中的射頻前端模塊�
3. 微波�(diǎn)�(duì)�(diǎn)通信系統(tǒng)中的功率放大��
4. �(wú)線基�(chǔ)�(shè)施設(shè)備如基站的射頻放大組��
5. �(cè)試與�(cè)�?jī)x器中的高性能射頻信號(hào)��
GA1210A822KXLAT31G, GA1210A823KXLAT31G