GA1210A821KBLAR31G 是一款高性能� MOSFET �(chǎng)效應(yīng)晶體�,主要應(yīng)用于功率�(zhuǎn)�、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及電源管理等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的溝槽式工藝制�,具有較低的�(dǎo)通電阻和�(yōu)秀的開(kāi)�(guān)性能,能夠在高頻�(yīng)用中提供高效的能量轉(zhuǎn)��
這款 MOSFET 支持增強(qiáng)型操作(Enhancement-mode�,意味著其在柵極電壓高于閾值電壓時(shí)�(dǎo)通,并且具備出色的熱�(wěn)定性和可靠�,適用于工業(yè)�(jí)和消�(fèi)�(jí)電子�(chǎn)��
型號(hào):GA1210A821KBLAR31G
類型:N-Channel MOSFET
漏源極耐壓(Vdss)�120V
連續(xù)漏極電流(Id)�82A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.5mΩ (典型�,在 Vgs=10V �(shí))
柵極電荷(Qg)�95nC (最大�)
輸入電容(Ciss)�4760pF
總功�(Ptot)�240W
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247-3L
GA1210A821KBLAR31G 具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損�,提升效��
2. 高額定電流能� (82A),能夠適�(yīng)大功率應(yīng)用場(chǎng)��
3. 快速開(kāi)�(guān)速度,支持高頻運(yùn)�,適� DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)��
4. �(wěn)定的電氣性能,即使在極端溫度條件下也能保持可靠工��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保設(shè)�(jì),滿足現(xiàn)代綠色電子產(chǎn)品的生產(chǎn)需��
6. �(qiáng)大的散熱性能,得益于 TO-247-3L 封裝形式,適合高功率密度�(yīng)用環(huán)境�
這些特性使得該器件非常適合用于太陽(yáng)能逆變�、電�(dòng)車控制器以及工業(yè)電源模塊等領(lǐng)域�
GA1210A821KBLAR31G 的典型應(yīng)用場(chǎng)景包括但不限于:
1. �(kāi)�(guān)模式電源 (SMPS) 中的主功率開(kāi)�(guān)�
2. 電動(dòng)車輛中的電機(jī)�(qū)�(dòng)電路�
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換控��
4. 太陽(yáng)能逆變器系�(tǒng)中的功率�(diào)節(jié)單元�
5. LED �(qū)�(dòng)器和高亮度照明系�(tǒng)的功率管理部��
6. 各類需要高效功率轉(zhuǎn)換和�(kāi)�(guān)控制的場(chǎng)�,例如不間斷電源 (UPS) 和通信電源�(shè)��
GA1210A821KBLAR31G,
IRFP260N,
STP120NF12Z,
FDP17N12,
IXFN140N12T2