時間：2025/5/28 10:39:34
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GA1210A682JBAAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用先進的半導(dǎo)體工藝制造。該器件具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和出色的熱性能，廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動和工業(yè)控制等領(lǐng)域。
該型號屬于 N 溝道增強型 MOSFET，能夠承受較高的電壓和電流負載，同時具備良好的耐用性和可靠性，適合多種高頻和大功率應(yīng)用場景。
最大漏源電壓：120V
連續(xù)漏極電流：68A
導(dǎo)通電阻：1.5mΩ
柵極電荷：95nC
輸入電容：2540pF
反向恢復(fù)時間：75ns
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
1. 低導(dǎo)通電阻，減少功率損耗，提升效率。
2. 快速開關(guān)特性，適用于高頻應(yīng)用。
3. 高電流承載能力，滿足大功率需求。
4. 優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性，能夠在極端溫度條件下可靠運行。
5. 小型封裝設(shè)計，節(jié)省電路板空間。
6. 具備較強的抗浪涌能力和魯棒性，適用于嚴苛環(huán)境下的應(yīng)用。
1. 開關(guān)電源（SMPS）
2. 電機驅(qū)動與控制
3. 工業(yè)逆變器
4. 太陽能微逆變器
5. 電動汽車充電系統(tǒng)
6. LED 驅(qū)動電路
7. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
8. 電池管理系統(tǒng)（BMS）
GA1210A682JBAAT21G, IRFZ44N, FDP55N12
