GA1210A681KBBAT31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,主要用于開�(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高效率和出色的熱性能,廣泛適用于工業(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品的電源管理場景�
該型�(hào)屬于溝道增強(qiáng)� MOSFET 系列,其�(shè)�(jì)能夠承受較高的電壓和電流,同�(shí)保持較低的功�。此�,它還具備快速開�(guān)速度和抗干擾能力�(qiáng)的特�(diǎn),非常適合需要高效能量轉(zhuǎn)換和�(wěn)定運(yùn)行的�(shè)備�
類型:MOSFET
封裝:TO-220
漏源極電�(Vds)�1200V
連續(xù)漏極電流(Id)�10A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�0.68Ω
柵極電荷(Qg)�75nC
最大功�(Pd)�150W
工作溫度范圍�-55� � 175�
GA1210A681KBBAT31G 的主要特�(diǎn)是其高耐壓能力�1200V�,使其適合高壓應(yīng)用環(huán)�。同�(shí),它的低�(dǎo)通電阻(0.68Ω)顯著降低了傳導(dǎo)損�,提高了整體系統(tǒng)效率�
此外,該器件擁有快速的開關(guān)性能,這在高頻開關(guān)電源或電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用中至關(guān)重要。其柵極電荷較小�75nC�,有助于減少�(qū)�(dòng)器的能量需求�
由于采用� TO-220 封裝,該芯片具備良好的散熱性能,支持長�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行。同�(shí),其寬泛的工作溫度范圍(-55� � 175℃)確保了在極端�(huán)境下仍能正常工作�
該芯片適用于多種電力電子�(yīng)用,包括但不限于開關(guān)電源、逆變�、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)器以及電磁閥控制等場��
在新能源�(lǐng)域,如太陽能逆變器和電動(dòng)車充電器�,GA1210A681KBBAT31G 也表�(xiàn)出色,因?yàn)樗軌虺惺芨唠妷翰⑻峁└咝У墓β兽D(zhuǎn)��
此外,這款器件還可以用于家用電器中的電源管理和工業(yè)�(shè)備中的功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)�
GA1210A681KBBAT32G, IRFP460, STP12NM60