GA1210A681JXAAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電機�(qū)動等應用�(lǐng)�。該芯片采用了先進的溝槽� MOSFET 技�(shù),具備低導通電阻和快速開�(guān)速度的特�,從而有效提升系�(tǒng)的效率和可靠性�
該型號中的部分字母和�(shù)字代表了具體的封裝形�、電氣參�(shù)等級以及其他定制化信息。例�,前� GA 表示�(chǎn)品系��1210 指定為特定的晶圓版本或技�(shù)節(jié)�,而后�(xù)字符則定義了具體的電�、電�、工作溫度范圍以及其他規(guī)��
類型:功� MOSFET
漏源極電壓(Vds):120V
連續(xù)漏極電流(Id):10A
導通電阻(Rds(on)):6.8mΩ
柵極電荷(Qg):50nC
輸入電容(Ciss):1200pF
輸出電容(Coss):240pF
反向傳輸電容(Crss):60pF
最大功耗(Ptot):15W
工作�(jié)溫范圍(Tj):-55� � +175�
GA1210A681JXAAT31G 的主要特性包括:
1. 極低的導通電� Rds(on),僅� 6.8mΩ,能夠顯著降低傳導損耗,特別適合高電流應用場��
2. 快速的開關(guān)速度,得益于�(yōu)化的柵極電荷設計,可以有效減少開�(guān)損耗并提升整體效率�
3. 高雪崩能量能�,增強了器件在異常條件下的魯棒性和可靠性�
4. 小型化封裝設�,有助于節(jié)� PCB 空間,同時改善熱性能�
5. 支持寬范圍的工作溫度,從 -55� � +175℃,適應多種惡劣�(huán)境條��
這款功率 MOSFET 廣泛應用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和適配器設計,提供高效的功率�(zhuǎn)��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中作為主開關(guān)或同步整流元件使��
3. 電機�(qū)動電路,用于控制各類直流無刷電機和步進電��
4. 充電器模�,包括手機快充、筆記本電腦充電器等�
5. 工業(yè)自動化設備中的功率管理單元�
6. 太陽能逆變器和其他可再生能源相�(guān)設備�
GA1210A682JXAAT31G, IRF1205S, FDP17N12Z