時(shí)間：2025/5/29 13:18:01
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GA1210A681GXAAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，專為高效率開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和出色的熱性能，適用于多種電源管理場景。
該芯片主要應(yīng)用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、AC-DC 適配器、電機(jī)驅(qū)動以及負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。其卓越的電氣特性和可靠性使其成為高效能功率轉(zhuǎn)換的理想選擇。
型號：GA1210A681GXAAT31G
類型：N溝道 MOSFET
封裝：TO-252 (DPAK)
Vds（漏源極電壓）：60V
Rds(on)（導(dǎo)通電阻）：4.5mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
Id（持續(xù)漏極電流）：28A
Qg（總柵極電荷）：22nC
fT（截止頻率）：1.5MHz
工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C
GA1210A681GXAAT31G 的主要特性包括以下幾點(diǎn)：
1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），可顯著降低傳導(dǎo)損耗，提高系統(tǒng)效率。
2. 快速的開關(guān)速度，能夠支持高頻操作，適合現(xiàn)代高效開關(guān)電源設(shè)計(jì)。
3. 高度優(yōu)化的柵極電荷設(shè)計(jì)，降低了驅(qū)動功耗。
4. 強(qiáng)大的雪崩能力和魯棒性，提高了在惡劣條件下的可靠性。
5. 小型化的 TO-252 封裝，有助于節(jié)省 PCB 空間。
6. 支持寬范圍的工作溫度，適用于各種工業(yè)和消費(fèi)類電子設(shè)備。
該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的主開關(guān)管。
2. 同步整流電路中的整流元件。
3. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
4. AC-DC 適配器和充電器模塊。
5. 電池保護(hù)電路和負(fù)載開關(guān)。
6. 電機(jī)驅(qū)動和逆變器控制。
7. 汽車電子中的輔助電源和照明控制。
GA1210A681GXAAJ31G
IRF7739
FDP5810
AON6216
