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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1210A681FXAAR31G

GA1210A681FXAAR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/26 14:59:09 查看 閱讀�14

GA1210A681FXAAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先�(jìn)的制造工藝設(shè)�(jì),適用于高效率開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開�(guān)等應(yīng)用領(lǐng)�。該器件具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,能夠顯著提升系�(tǒng)的整體效率和可靠性�
  其封裝形式為行業(yè)�(biāo)�(zhǔn)的表面貼裝類�,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和組�,同�(shí)具備良好的散熱特性以適應(yīng)�(yán)苛的工作�(huán)境�

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  連續(xù)漏極電流�15A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�4.5mΩ
  柵極電荷�25nC
  開關(guān)�(shí)間(開啟/�(guān)閉)�12ns/9ns
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
  封裝類型:TO-263

特�

GA1210A681FXAAR31G擁有卓越的電氣特性和�(jī)械穩(wěn)定�。其主要特點(diǎn)包括�
  1. 極低的導(dǎo)通電�,有效降低功率損��
  2. 快速的開關(guān)速度,適合高頻操作場(chǎng)景�
  3. �(nèi)置反向恢�(fù)二極�,減少反向電流對(duì)電路的影響�
  4. 高耐壓能力,確保在極端條件下的可靠�(yùn)��
  5. 符合RoHS�(huán)保標(biāo)�(zhǔn),滿足綠色設(shè)�(jì)要求�
  這些特性使得該芯片成為眾多電力電子�(shè)備的理想選擇�

�(yīng)�

這款功率MOSFET廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�,提供高效的能量�(zhuǎn)��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器,用于電壓調(diào)節(jié)和穩(wěn)定輸��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,實(shí)�(xiàn)精確的速度和方向控��
  4. �(fù)載開�(guān),保�(hù)后端電路免受過流或短路損��
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模��
  GA1210A681FXAAR31G憑借其�(yōu)異性能,可以勝任多種復(fù)雜工況下的任�(wù)需��

替代型號(hào)

GA1210A681FXAAR21G
  IRFZ44N
  FDP5800
  AON6710

ga1210a681fxaar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容680 pF
  • 容差±1%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-