GA1210A562GXBAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。該芯片采用了先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn),能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)的整體效率。
該器件支持高頻操作,同時(shí)具備出色的熱性能和電氣特性,適用于對(duì)效率和可靠性要求較高的應(yīng)用場(chǎng)景。
類型:N溝道 MOSFET
工作電壓:12V
最大電流:10A
導(dǎo)通電阻:4.5mΩ
柵極電荷:18nC
輸入電容:520pF
開(kāi)關(guān)時(shí)間:開(kāi)啟時(shí)間 15ns,關(guān)斷時(shí)間 9ns
封裝形式:TO-220
GA1210A562GXBAR31G 具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),能夠在大電流下顯著減少導(dǎo)通損耗。
2. 高速開(kāi)關(guān)性能,適合高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
3. 采用 TO-220 封裝,提供良好的散熱性能。
4. 柵極驅(qū)動(dòng)電壓兼容標(biāo)準(zhǔn)邏輯電平,便于與控制電路集成。
5. 內(nèi)置反向二極管,可有效防止寄生效應(yīng)導(dǎo)致的損壞。
6. 高可靠性和長(zhǎng)壽命設(shè)計(jì),滿足工業(yè)級(jí)應(yīng)用需求。
7. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)計(jì)。
GA1210A562GXBAR31G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 的功率轉(zhuǎn)換階段。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率輸出級(jí)。
3. 各種 DC-DC 轉(zhuǎn)換器模塊。
4. LED 驅(qū)動(dòng)器中的高效功率管理。
5. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的充放電控制。
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率開(kāi)關(guān)組件。
7. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載切換和保護(hù)電路。
IRFZ44N
FDP5500
STP10NK60Z