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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1210A561KXLAR31G

GA1210A561KXLAR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 11:26:32 查看 閱讀�10

GA1210A561KXLAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開(kāi)�(guān)等領(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠在高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)用中提供卓越的性能表現(xiàn)�
  這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型器�,其封裝形式適合表面貼裝技�(shù)(SMT�,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化和高效能的需��

參數(shù)

型號(hào):GA1210A561KXLAR31G
  �(lèi)型:N溝道功率MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�18A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ
  功�(Pd)�18W
  工作溫度范圍(Tj)�-55°C � +175°C
  封裝:TO-252(DPAK)

特�

GA1210A561KXLAR31G具備以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在典型條件下僅為4.5mΩ,顯著降低了傳導(dǎo)損耗,提升了系�(tǒng)效率�
  2. 高速開(kāi)�(guān)能力,優(yōu)化了柵極電荷�(shè)�(jì),使得開(kāi)�(guān)頻率可以�(dá)到數(shù)百kHz�
  3. �(qiáng)大的雪崩耐量能力,增�(qiáng)了器件在異常情況下的魯棒��
  4. 小型化的封裝形式,便于集成到緊湊型電路板�(shè)�(jì)��
  5. 工作溫度范圍寬廣,適用于各種惡劣�(huán)境下的應(yīng)用需��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�

�(yīng)�

該功率MOSFET芯片主要�(yīng)用于以下幾�(gè)�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS),包括AC/DC�(zhuǎn)換器和DC/DC�(zhuǎn)換器中的同步整流�
  2. 電池管理系統(tǒng)(BMS),用于鋰離子電池組的保護(hù)和充放電控制�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng),為�(wú)刷直流電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)提供高效的驅(qū)�(dòng)方案�
  4. �(fù)載開(kāi)�(guān),在便攜式電子設(shè)備中�(shí)�(xiàn)快速切換功��
  5. �(guò)流保�(hù)電路,確保系�(tǒng)在異常情況下不會(huì)受到損壞�
  6. 其他需要高�、高效功率開(kāi)�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

GA1210A561KXLAR31G, IRF540N, FDP5570N

ga1210a561kxlar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容560 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定630V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-