GA1210A561KXLAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開(kāi)�(guān)等領(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠在高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)用中提供卓越的性能表現(xiàn)�
這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型器�,其封裝形式適合表面貼裝技�(shù)(SMT�,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化和高效能的需��
型號(hào):GA1210A561KXLAR31G
�(lèi)型:N溝道功率MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�18A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ
功�(Pd)�18W
工作溫度范圍(Tj)�-55°C � +175°C
封裝:TO-252(DPAK)
GA1210A561KXLAR31G具備以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在典型條件下僅為4.5mΩ,顯著降低了傳導(dǎo)損耗,提升了系�(tǒng)效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)能力,優(yōu)化了柵極電荷�(shè)�(jì),使得開(kāi)�(guān)頻率可以�(dá)到數(shù)百kHz�
3. �(qiáng)大的雪崩耐量能力,增�(qiáng)了器件在異常情況下的魯棒��
4. 小型化的封裝形式,便于集成到緊湊型電路板�(shè)�(jì)��
5. 工作溫度范圍寬廣,適用于各種惡劣�(huán)境下的應(yīng)用需��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
該功率MOSFET芯片主要�(yīng)用于以下幾�(gè)�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS),包括AC/DC�(zhuǎn)換器和DC/DC�(zhuǎn)換器中的同步整流�
2. 電池管理系統(tǒng)(BMS),用于鋰離子電池組的保護(hù)和充放電控制�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng),為�(wú)刷直流電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)提供高效的驅(qū)�(dòng)方案�
4. �(fù)載開(kāi)�(guān),在便攜式電子設(shè)備中�(shí)�(xiàn)快速切換功��
5. �(guò)流保�(hù)電路,確保系�(tǒng)在異常情況下不會(huì)受到損壞�
6. 其他需要高�、高效功率開(kāi)�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)��
GA1210A561KXLAR31G, IRF540N, FDP5570N