時間：2025/5/29 9:01:26
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GA1210A561GBLAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用先進(jìn)的制造工藝以提供卓越的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻。該芯片適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動以及其他需要高頻和低損耗的應(yīng)用場景。
其設(shè)計(jì)旨在優(yōu)化系統(tǒng)性能，同時減少熱量生成，從而提升整體可靠性。此外，它具備出色的熱穩(wěn)定性和電氣特性，能夠在嚴(yán)苛的工作條件下保持穩(wěn)定運(yùn)行。
型號：GA1210A561GBLAT31G
類型：N-Channel MOSFET
封裝：TO-247
Vds（漏源極電壓）：60V
Rds(on)（導(dǎo)通電阻）：4mΩ
Id（連續(xù)漏極電流）：100A
柵極電荷：80nC
工作溫度范圍：-55°C 至 175°C
fT（過渡頻率）：2.1MHz
Vgs(th)（閾值電壓）：2.5V
GA1210A561GBLAT31G 具備以下顯著特點(diǎn)：
1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高能效。
2. 高電流處理能力，支持高達(dá) 100A 的連續(xù)漏極電流，適合大功率應(yīng)用。
3. 快速開關(guān)速度，得益于低柵極電荷和較高的過渡頻率，能夠有效減少開關(guān)損耗。
4. 寬工作溫度范圍，適應(yīng)從極端寒冷到高溫環(huán)境下的使用需求。
5. 強(qiáng)大的散熱性能，確保在高負(fù)載下依然保持穩(wěn)定性。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，滿足環(huán)保要求。
這些特性使得該芯片成為許多高功率電子設(shè)備的理想選擇，例如工業(yè)電源、太陽能逆變器以及電動車輛中的電機(jī)控制器等。
GA1210A561GBLAT31G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS)，包括 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 電機(jī)驅(qū)動電路，特別是高性能無刷直流電機(jī) (BLDC) 控制。
3. 太陽能逆變器中用于能量轉(zhuǎn)換的核心元件。
4. 電動汽車和混合動力汽車的電力管理系統(tǒng)。
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的大功率控制模塊。
6. 不間斷電源 (UPS) 系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件。
由于其優(yōu)異的性能和可靠性，這款芯片為各種復(fù)雜且高要求的應(yīng)用提供了可靠的解決方案。
GA1210A561GBLAT28G, IRFP2907ZPBF
