時間：2025/5/28 11:04:07
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GA1210A471GBAAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于電源管理、電機驅(qū)動和開關電源等應用領域。該器件采用先進的半導體工藝制造，具有低導通電阻、高開關速度和出色的熱性能。其封裝形式為TO-263（DPAK），適合表面貼裝技術（SMT），能夠有效減少電路板空間占用并提高散熱效率。
該型號的MOSFET屬于N溝道增強型場效應晶體管，能夠在高頻和大電流條件下高效運行，同時具備良好的耐用性和穩(wěn)定性，適用于工業(yè)級和消費級電子設備。
類型：N溝道增強型MOSFET
耐壓：120V
持續(xù)漏極電流：47A
導通電阻：2.5mΩ（典型值）
柵極電荷：90nC（最大值）
輸入電容：2800pF
工作溫度范圍：-55℃至+175℃
封裝形式：TO-263（DPAK）
GA1210A471GBAAR31G的主要特性包括以下幾點：
1. 極低的導通電阻，能夠顯著降低功耗，提升系統(tǒng)效率。
2. 高電流承載能力，可支持高達47A的持續(xù)漏極電流，適用于大功率應用場景。
3. 快速開關速度，確保在高頻應用中表現(xiàn)優(yōu)異。
4. 優(yōu)秀的熱性能，結合高效的散熱設計，能夠長時間穩(wěn)定運行。
5. 寬泛的工作溫度范圍，適應各種嚴苛環(huán)境條件。
6. 符合RoHS標準，環(huán)保且可靠。
這款功率MOSFET廣泛應用于多個領域，例如：
1. 開關電源（SMPS）中的主開關管或同步整流器。
2. 工業(yè)電機驅(qū)動及控制電路。
3. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換與保護。
4. LED驅(qū)動器和DC-DC轉換器中的功率轉換元件。
5. 各類消費類電子產(chǎn)品中的電源管理和電池充電解決方案。
6. 高效逆變器和其他需要高電流處理能力的應用場景。
IRFZ44N
STP40NF10L
FDP5570N
AO3400
