GA1210A331FBLAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)� DC-DC �(zhuǎn)換等�(chǎng)�。該芯片采用先�(jìn)的溝槽式工藝制�,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),從而有效提升效率并降低功耗�
該器件能夠在高頻工作條件下保持較低的�(kāi)�(guān)損�,同�(shí)具備良好的熱性能和電氣穩(wěn)定�,適用于工業(yè)控制、消�(fèi)電子及汽車電子等�(lǐng)��
型號(hào):GA1210A331FBLAT31G
類型:N-Channel MOSFET
Vds(漏源極電壓):60V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�2.5mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):180A
Qg(柵極電荷)�75nC
Bvdss(擊穿電壓)�60V
EAS(雪崩能量)�2.5J
封裝形式:TO-247-3L
GA1210A331FBLAT31G 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高電流承載能力,能夠支持高達(dá) 180A 的連續(xù)漏極電流�
3. 快速開(kāi)�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
4. 具備出色的熱�(wěn)定性和抗雪崩能�,可確保在異常情況下安全�(yùn)��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
6. 提供多種保護(hù)功能,如�(guò)溫保�(hù)和短路保�(hù),增�(qiáng)可靠��
� MOSFET 主要�(yīng)用于以下幾�(gè)�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì)中的主開(kāi)�(guān)管或同步整流��
2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)元件�
3. 電動(dòng)車和混合�(dòng)力汽車的電池管理系統(tǒng)(BMS)及逆變器模��
4. 大功� LED �(qū)�(dòng)電路中的�(kāi)�(guān)器件�
5. 各種 DC-DC �(zhuǎn)換器中作為高效功率轉(zhuǎn)換的核心組件�
IRFP2907AZPBF,
IXTH18N60P3,
FDP18N60C,
STP180N10F5