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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1210A272JBAAR31G

GA1210A272JBAAR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 9:27:32 查看 閱讀�6

GA1210A272JBAAR31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制�。該器件具有低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)�(guān)速度和高電流承載能力等特�,適用于各類電源管理及功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。其封裝形式為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的TO-263(DPAK�,便于集成到各種電子系統(tǒng)中�
  該型�(hào)特別針對(duì)高效能開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)用�(jìn)行了�(yōu)化設(shè)�(jì),可有效降低功耗并提升整體效率�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�40A
  �(dǎo)通電阻:1.5mΩ
  柵極電荷�85nC
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=13ns, toff=28ns
  工作溫度范圍�-55℃至175�

特�

1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))確保了高效的功率傳�,減少了功率損��
  2. 快速的�(kāi)�(guān)速度使得該器件非常適合高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)�,能夠顯著降低開(kāi)�(guān)損��
  3. 高雪崩能量能力增�(qiáng)了器件在異常情況下的耐用��
  4. 具備�(yōu)異的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  5. 封裝形式緊湊,便于PCB布局及散熱設(shè)�(jì)�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代電子產(chǎn)品的需��

�(yīng)�

1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率開(kāi)�(guān)�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率元��
  3. 電動(dòng)工具、家用電器和工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載開(kāi)�(guān)或保�(hù)�(kāi)�(guān)�
  5. 各類需要高效功率控制的�(yīng)用場(chǎng)�,例如汽�(chē)電子、通信�(shè)備電源等�

替代型號(hào)

IRFZ44N
  FDP5500
  STP40NF06L

ga1210a272jbaar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容2700 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-