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GA1210A221FBLAR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/13 16:15:56 查看 閱讀�18

GA1210A221FBLAR31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,主要用于開關和功率�(zhuǎn)換應用。該器件采用了先進的制造工�,具有低導通電阻、高效率和良好的熱性能,適用于多種工業(yè)和消費類電子�(chǎn)品中的電源管理解決方��
  該型號屬于溝道增強型 MOSFET,廣泛用� DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動、負載開關以及其他需要高效功率控制的應用場景�

參數(shù)

類型:MOSFET
  封裝:TO-252 (DPAK)
  最大漏源電壓(Vds):120V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):22A
  導通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型�,Vgs=10V�
  總功耗:110W
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

GA1210A221FBLAR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電�,有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高電流處理能�,支持高� 22A 的連續(xù)漏極電流�
  3. 快速開關速度,適合高頻開關應用�
  4. 強大的熱�(wěn)定�,確保在極端�(huán)境條件下也能可靠運行�
  5. 小型化封裝設�,便� PCB 布局和散熱管��
  6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且安全�

應用

該器件適用于以下應用場景�
  1. 開關電源(SMPS)中的功率開��
  2. 電動工具和家用電器中的電機驅(qū)��
  3. 汽車電子系統(tǒng)的負載切換�
  4. 工業(yè)自動化設備中的電源管��
  5. 充電器、適配器以及其他便攜式設備的高效功率�(zhuǎn)��
  6. LED 照明系統(tǒng)的驅(qū)動電路�
  由于其出色的電氣特性和可靠�,這款 MOSFET 在各種需要高效功率控制的領域中表�(xiàn)�(yōu)異�

替代型號

GA1210A221FBLAR31T, IRFZ44N, FDP5580

ga1210a221fblar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容220 pF
  • 容差±1%
  • 電壓 - 額定630V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-