GA1210A221FBLAR31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,主要用于開關和功率�(zhuǎn)換應用。該器件采用了先進的制造工�,具有低導通電阻、高效率和良好的熱性能,適用于多種工業(yè)和消費類電子�(chǎn)品中的電源管理解決方��
該型號屬于溝道增強型 MOSFET,廣泛用� DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動、負載開關以及其他需要高效功率控制的應用場景�
類型:MOSFET
封裝:TO-252 (DPAK)
最大漏源電壓(Vds):120V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):22A
導通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型�,Vgs=10V�
總功耗:110W
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
GA1210A221FBLAR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導通電�,有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高電流處理能�,支持高� 22A 的連續(xù)漏極電流�
3. 快速開關速度,適合高頻開關應用�
4. 強大的熱�(wěn)定�,確保在極端�(huán)境條件下也能可靠運行�
5. 小型化封裝設�,便� PCB 布局和散熱管��
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且安全�
該器件適用于以下應用場景�
1. 開關電源(SMPS)中的功率開��
2. 電動工具和家用電器中的電機驅(qū)��
3. 汽車電子系統(tǒng)的負載切換�
4. 工業(yè)自動化設備中的電源管��
5. 充電器、適配器以及其他便攜式設備的高效功率�(zhuǎn)��
6. LED 照明系統(tǒng)的驅(qū)動電路�
由于其出色的電氣特性和可靠�,這款 MOSFET 在各種需要高效功率控制的領域中表�(xiàn)�(yōu)異�
GA1210A221FBLAR31T, IRFZ44N, FDP5580