GA1210A221FBAAR31G 是一款高性能的 MOSFET 場效應(yīng)晶體管,適用于高頻開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,能夠顯著提高電路效率并降低功耗。
該型號通常用于直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電源管理模塊以及其他需要高效功率控制的場景中。
最大漏源電壓:100V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流:22A
導(dǎo)通電阻:4mΩ
總柵極電荷:75nC
開關(guān)時(shí)間:ton=9ns, toff=18ns
GA1210A221FBA主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),確保在高電流應(yīng)用中減少功率損耗。
2. 高速開關(guān)性能,適合高頻工作條件下的功率轉(zhuǎn)換需求。
3. 強(qiáng)大的散熱能力,可承受較高的結(jié)溫范圍。
4. 集成保護(hù)功能,如過流保護(hù)和短路保護(hù),增強(qiáng)系統(tǒng)的可靠性。
5. 小型封裝設(shè)計(jì),有助于節(jié)省PCB空間,適合緊湊型設(shè)備使用。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且安全可靠。
這款 MOSFET 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制。
3. 汽車電子系統(tǒng),例如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向(EPS)和制動(dòng)控制。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載切換。
5. 高效 LED 驅(qū)動(dòng)電路。
6. 各類消費(fèi)電子產(chǎn)品中的電源管理單元。
GA1210A221FBAAR31H, IRF2807Z, FDP55N10E