GA1210A182JXLAT31G 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及開關(guān)電路等領(lǐng)域。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠在高頻和高效應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
該型�(hào)屬于溝道� MOSFET,具體參�(shù)和性能使其特別適合用于需要高效率和低功耗的�(shè)�(jì)場景�
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�120A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.8mΩ
總功�(Ptot)�250W
封裝類型:TO-247-3
工作溫度范圍�-55� to +175�
GA1210A182JXLAT31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),可以有效降低導(dǎo)通損�,提高整體系�(tǒng)效率�
2. 高電流承載能力,支持高達(dá) 120A 的連續(xù)漏極電流,適用于大功率應(yīng)用場景�
3. 快速開�(guān)性能,有助于減少開關(guān)損耗,適合高頻開關(guān)�(yīng)��
4. 良好的熱�(wěn)定性,能夠在寬泛的工作溫度范圍�(nèi)可靠�(yùn)��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)要求�
這些特性使得該器件在高效率電源�(zhuǎn)�、電�(jī)控制和負(fù)載切換等�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
� MOSFET 器件適用于多種電子應(yīng)用領(lǐng)�,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的主開�(guān)或同步整流器�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)元件�
3. DC/DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
4. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的�(fù)載開�(guān)�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊�
其高電流處理能力和低�(dǎo)通電阻特性使其成為這些�(yīng)用的理想選擇�
GA1210A182JXLAT31,
IRFP2907,
FDP150N06L,
IXFN120N06T2